强光巡检电筒GAD202-J

技术参数：

额定电压：DC3.7V

额定容量：2Ah

使用寿命：≥100000h

放电时间：工作光：19h / 强光：8~9h

充电时间：6h

电池寿命：约1000（循环）

强光巡检电筒GAD202-J外形尺寸：φ35×157 mm（外径×长）

重    量：0.23kg

防护等级：IP66

产品特性：

采用高性能无记忆锂电池，寿命长，自放电率低，经济环保。GAD202-J采用固态高效LED光源，能耗少，寿命长。

性能特点：

选用进口高硬度铝合金材料做外壳，确保GAD202-J抗强力冲击和碰撞，采用多重防水结构，可在各种恶劣环境和气候条件下使用。

设有强光、工作光、频闪三种工作模式，采用智能芯片控制开关，强弱光可任意转换。GAD202-J配有过充过放及短路保护功能。

结构紧凑，轻盈美观，体积小，重量轻。

GAD202-J多功能强光巡检电筒可跨在腰间或放在口袋中，轻便灵活。工作光具有强弱两种选择。

  LED产业在已经形成了一套完整的产业链，强光巡检电筒GAD202-J美国、日本、欧洲、中国台湾和韩国等国家和地区的企业数量众多，主要集中在衬底、外延片、芯片以及封装领域。

    LED的核心技术是高亮度LED的外延生长和芯片制造技术，具有较高的技术含量和附加值，是典型的技术密集型和资本密集型产业，该领域一直是业内公司竞相攀登的行业高地。当前，美国、日本等在核心器件的原材料和器件设计上具有技术优势，处于 水平，其 本的日亚化学和丰田合成、美国的Cree、德国的Osram在世界半导体照明市场上暂时处于技术垄断地位。在销售额和*方面，这些大公司也处于位置。

    对于制作LED芯片来说，产业链zui前端衬底材料的选用是首先要考虑的问题，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前，上采用SiC作为衬底的芯片生产企业主要包括：美国的Cree公司、欧洲的SiCrystal和Nors公司、亚洲的天科合达蓝光半导体有限公司和NionSteel公司，其中，美国Cree公司的SiC芯片技术和产销量均处于地位，占80%左右的*，然而，高价格依然会阻碍SiC芯片的广泛应用。

    除了衬底外，外延片也属于LED产业上游端。强光巡检电筒GAD202-J目前LED外延片生产技术主要采用MOCVD，世界范围内能够生产这一设备的企业不过3到5家。世界上zui大的两家MOCVD生产商为德国的AIXTRON和美国的VEECO，它们占据MOCVD供应市场90%以上的*，处于垄断地位。

    从VLSI研究机构2008年4月份和GartnerDataquest研究机构2009年5月份的市场调研报告获悉，2008年AIXTRON公司的*大约为72%，VEECO公司的*大约为19%。