日本microphase卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene

目的：这是用于合成石墨烯薄膜的管式炉（50mmφ）型热CVD设备。

特征

• 　配备炉膛滑动机构，可快速加热/冷却样品

• 　三系统质量流量气体流量控制系统，实现精准气体控制

• 　紧凑坚固的外壳设计，易于安装在桌面实验室工作台等。

• 　[选项] 可增加电机驱动的自动滑动功能。

• 　[选项] 通过增加涡轮排气泵，可以沉积更高质量的石墨烯。

• 　[选项] 可将热电偶传感器引入炉内，直接监测样品温度。

基板的快速冷却据说是通过使用碳氢化合物气体（CH4 和 C2H2）的 CVD 方法在催化剂基板（Ni、Cu 等）上生长石墨烯薄膜的重要因素之一。

　该装置配备了仅允许加热部分滑动而炉芯管保持原样的机构。这种滑动机构允许炉子的热区快速从样品位置移开，从而使样品快速冷却。此外，通过安装可选的高真空排气系统，可以轻松沉积更大面积的单层石墨烯薄膜。

使用高真空泵系统（可选）沉积的单层石墨烯/Ni 的拉曼光谱

日本microphase卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene

规格

基本配置	管式炉	正常使用温度	400-1000℃
		炉内尺寸	60mmφ×L260mm
		温度控制	1区可编程温度控制器
		外形尺寸	W300mm x H200mm x D186mm
		电容	700W
	芯管	材料	石英
		尺寸	OD50mm x ID46mm x L1200mm
	气体控制	质量流量控制器
		引入气体类型	载气：N2或Ar 还原气体：H2 碳氢化合物气体：C2H2 或 C2H4 或 CH4
	真空计	波登管真空计
	排气泵	回转泵
	液体物料引入系统
	用于芯管测量的热电偶（选项）
	急冷滑动机构（滑动距离：250mm）
	外形尺寸	W1400mm×H1000mm×D500mm