德国FESTO光电传感器价格好

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德国FESTO光电传感器价格好,费斯托光电传感器介绍:
费斯托光电式传感器在受到可见光照射后即产生光电效应,将光信号转换成电信号输出。它除能测量光强之外,还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量,如尺寸、位移、速度、温度等,因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合,光电式传感器比其他传感器有明显的*性。其缺点是在某些应用方面,光学器件和电子器件价格较贵,并且对测量的环境条件要求较高。
德国FESTO光电传感器价格好,光电效应它是光照射到某些物质上,使该物质的电特性发生变化的一种物理现象,可分为外光电效应和内光电效应两类。外光电效应是指,在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。光子是以量子化“粒子”的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hv,h为普朗克常数,v为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述:
hv=1/2*mv0的平方式中m为电子质量,v0为电子逸出速度。当光子能量等于或FESTO光电式传感器SIES-Q8B-NO-S-L
大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值,称为红限频率。对于红限频率以上的入射光,外生光电流与光强成正比。内光电效应又分为光电导效应和光生伏打效应两类。光电导效应是指,半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带,从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应(结光电效应)和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中,电子受光子的激发脱离势垒(或禁带)的束缚而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下电子移向N区外侧,空穴移向P区外侧,形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时,受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀,电子向未被照射部分扩散,引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。分类基于外光电效应的光电敏感器件有光电管和光电倍增管。基于光电导效应的有光敏电阻。基于势垒效应的有光电二极管和光电三极管(见半导体光敏元件)。基于侧向光电效应的有反转光敏二极管。光电式传感器还可按信号形式分为模拟式光电传感器(见位移传感器)和数字式光电传感器(见转速传感器、光栅式传感器、数字式传感器)。光电式传感器还有光纤传感器、固体图像传感器等。
光电式传感器的制造工艺也随薄膜工艺、平面工艺和大规模集成电路技术的发展而达到很高的水平,并使产品的成本大为降低。被称为新一代摄像器件的聚焦平面集成光敏阵列正在取代传统的扫描摄像系统。光电式传感器的发展方向是采用有机化学汽相沉积、分子束外延、单分子膜生长等新技术和异质结等新工艺。光电式传感器的应用领域已扩大到纺织、造纸、印刷、、环境保护等领域。在红外探测、辐射测量、光纤通信,自动控制等传统应用领域的研究也有新发展。例如,硅光电二极管自校准技术的提出为光辐射的测量提供了一种很有前途的新方法。
,费斯托光电传感器常用型号:
174548电感式传感器SIES-Q5B-NO-K-L
174549电感式传感器SIES-Q5B-PO-K-L
174550电感式传感器SIES-Q8B-NO-K-L
174551电感式传感器SIES-Q8B-NO-S-L
174552电感式传感器SIES-Q8B-PO-K-L
174553电感式传感器SIES-Q8B-PO-S-L
174801脚架安装件HSA-10-2
174802脚架安装件HSA-16-2
174803脚架安装件HSA-20-2
174804脚架安装件HSA-25-2
174806脚架安装件HSA-40-2
174807脚架安装件HSA-50-2
174808脚架安装件HSA-63-2
174815平行气爪HGP-06-A
174817旋转气爪HGR-10-A
174818摆动气爪HGW-10-A
174819三点气爪HGD-16-A
174826说明书P.BE-SB50B-02-DE
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174830说明书P.BE-SB50B-03-EN
174844带电缆插头插座KMEB-2-24-2,5-LED
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