法兰差压变送器产品概述
法兰差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度和压力，然后将其转变成4～20mA DC信号输出。智能型可与HART手操器相互通讯，通过它进行设定，监控或与上位机组成现场监控系统。ABG1151/3351DP现场可调式智能差压变送器是本公司根据现场要求研制开发的新产品，可脱离手操器，通过按键方式实现现场调零、组态等操作。
 
法兰差压变送器分类与基本原理
压力设备通常分为三种类型:表压、压力以及差压。但从根本上说，它们都属于差压测量。
差压设备用于测量相对于环境大气压的过程压力。传感器的过程侧处于过程压力中，而非过程侧处于大气中。表压测量即为两侧的压力差。若传感器的非过程侧与大气相隔离，存留的气体体积将随着温度变化膨胀或缩小，并造成传感器非过程侧的压力变化。这将导致表压信号出现严重误差。通常所有的表压传感器都有一条内部通道，将非过程侧与大气相连。
 
法兰差压变送器智特点
1、超级的测量性能，用于压力、差压、液位、流量测量
2、数字精度:±0.25%
3、模拟精度:±0.5%±0.1%F.S
4、全 性 能:±0.25F.S
5、稳 定 性:0.25% 60个月
6、量 程 比:100:1
7、测量速率:0.2S
8、小型化(2.4kg)全不锈钢法兰，易于安装
9、过程连接与其它产品兼容，实现测量
10、世界上*采用H合金护套的传感器(技术)，实现了优良的冷、热稳定性
11、标准4-20mA，带有基于HART协议的数字信号，远程操控
12、支持向现场总线与基于现场控制的技术的升级。
13、内通道将流体引至设备膜片的两侧。
 
法兰差压变送器的功能
输出:二线制，4~20mA DC输出，数字通讯，可编程设定线性或平方根输出方式，HART协议加载在4~20mA DC信号上。
电源电压:工作状态:10.5~42V DC；数字通讯:16.4~42V DC；本安型:16.4~30V DC
负载(输出信号代码为D和E时):工作状态:0~1335Ω    数字通讯:250~600Ω
HART通讯距离:用多芯双绞线时可通讯距离zui大达2ABG。通讯距离因电缆类型而异。
公式如下:L=65000000/(R×C)-(C1+10000)/C
L=长度(m和ft)
R=阻抗(Ω ，包括电源阻抗)
C=电缆电容(pF/m或pF/ft)
C1=zui大并联电容(pF/m或pF/ft)
法兰差压变送器的阻尼时间常数:放大器部件和膜盒的阻尼时间常数之和。常数在0.2~64秒范围内可调。
环境温度:-40~85℃(-40~185?F)   -30~80℃(-22~176?F)【带LCD表头】
接液温度:-40~120℃(-40~248?F)
调量程的参考精度(包括从零点开始的线性、滞后性和重复性):±0.1%
法兰差压变送器的稳定性:±0.1%量程上限/12个月
 
法兰差压变送器的绕制方法与注意事项

普通分层绕法:
一般的单输出电源，变压器分为3个绕组，初级绕组Np,次级绕组Ns,辅助电源绕组Nb;当实用普通分层绕法时，绕制的顺序是:NpNsNb，当然也有的是采用NbNsNp的绕法，但不常用。
此种绕法工艺简单，易于控制磁芯的各种参数，*性较好，绕线成本低，适用于大批量的生产，但漏感稍大，故适用于对漏感不敏感的小功率场合，一般功率小于10W的电源中普遍实用这种绕法
三明治绕法
三明治绕法久负盛名，几乎每个做电源的人都知道这种绕法，但真正对三明治绕法做过深入研究的人，应该不多。相信很多人都吃过三明治，就是两层面包中间夹一层奶油。顾名思义，三明治绕法就是两层夹一层的绕法。由于被夹在中间的绕组不同，三明治又分为两种绕法:初级夹次级，次级夹初级。先来看*种，初级夹次级的绕法(也叫初级平均绕法)
顺序为Np/2,Ns,Np/2,Nb，此种绕法有量大优点，由于增加了初次级的有效耦合面积，可以*的减少变压器的漏感，而减少漏感带来的好处是显而易见的:漏感引起的电压尖降低，这就使MOSFET的电压应力降低，同时，由MOSFET与散热片引起的共模干扰电流也可以降低，从而改善EMI;由于在初级中间加入了一个次级绕组，所以减少了变压器初级的层间分布电容，而层间电容的减少，就会使电路中的寄生振荡减少，同样可以降低MOSFET与次级整流管的电压电流应力，改善EMI。
第二种，次级夹初级的绕法(也叫次级平均绕法)
顺序为Ns/2,Np,Ns/2,Nb。当输出是低压大电流时，一般采用此种绕法，其优点有二:
1、可以有效降低铜损引起的温升:由于输出是低压大电流，故铜损对导线的长度较为敏感，绕在内侧的Ns/2可以有效较少绕线长度，从而降低此Ns/2绕组的铜损及发热。外层的Ns/2虽说绕线相对较长，但是基本上是在变压器的外层，散热良好故温度也不会太高。
2、可以减少初级耦合至变压器磁芯高频干扰。由于初级远离磁芯，次级电压低，故引起的高频干扰小。
我们大家来进一步深入讨论下这个三明治绕发对EMI的影响。首先，我们来看初级夹次级的绕法，我们知道，变压器的初级由于电压较高，所以绕组较多，一般要超过2层，有时甚至达到4-5层，这就给变压器带来一个分布参数-层间电容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解释了。当MOSFET关断的时候，变压器的漏感与MOSFET的结电容以及变压器的层间电容会产生振动，幅度达到几十甚至超过一百V，这对MOSFET与EMI来说都是不允许的，所以，我们增加RCD吸收来抑制这个振荡，达到保护MOSFET与改善EMI的目的。
三明治绕法是可以在一定程度上改善EMI。从另外一个角度来说，三明治绕法确实是增加了初次级的耦合面积，减少了漏感，同时又使初次级的耦合电容增加了;当开关管反复开关时，电容也会反复充放电，也就是说会引起振荡，此振荡正比于开关频率，会对EMI产生不利的影响。
 
法兰差压变送器选型