仪器特点：

1. 自动或手动模式(电流控制磁场模式)

2. 自动接触检查(欧姆接触)

3. 常规和增强软件

4. I/V曲线测试电阻率差异

5. 失调电压补偿

6. 修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌

7. 大浓度和电阻率范围

8. 灵活的模块化硬件

技术参数：

1 磁场： 磁场强度： 0.5T 永磁体 磁场类型： 永磁体 磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2%

2 温 度： 温度区域： 77K(液氮温度)或室温

3 电阻率范围： 1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

4 电阻范围： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms

5 载流子浓度： 107~1021cm-3

6 迁移率： 10-2~107 cm2/volt*sec

7 输入电流： 电流范围： 1000 pA~10mA 电流解析度： 2.5 pA (lowest range) 电流精度： 2%

8 输入电压： 电压范围： ±10V 电压分辨率： 1μV > 可做IV,IIIV,ⅡⅢ等材料测试 > 设计小巧，性价比* > 支持室温&77K测试 > 使用样品夹固定待测样品 >

可选配永磁铁或电磁作为磁场 1. 设备名称： 霍尔效应测试仪 2. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3. 霍尔效应测试仪技术参数：

3-1 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3-2 磁场：

3-2-1 磁场强度： 0.45T 永磁体

3-2-2 磁场类型： 永磁体

3-2-3 磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2% 3-3 温 度：

3-3-1 温度区域： 77K(液氮温度)或室温

3-4 电阻率范围： 1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5 电阻范围： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6 载流子浓度： 107~1021cm-3 3-7 迁移率： 10-2~107 cm2/volt*sec

3-8 输入电流：

3-8-1 电流范围： 1000 pA~10mA

3-8-2 电流解析度： 2.5 pA (lowest range)

3-8-3 电流精度： 2%

3-9 输入电压：

3-9-1 电压范围： ±10V 3-9-2 电压分辨率： 1μV