三温区顶部籽晶助溶剂法单晶生长炉系列是一款3温区顶部籽晶助熔剂法（TSSG）晶体生长炉。此设备主要由3部分组成：3温区加热炉（炉膛尺寸为：Φ127mm×600mm,zui高温度为1200℃），温控系统可设置28段温度程序段，控温精度±1℃和精密旋转提拉机构，其提拉速度为0.8-50mm/hour.

三温区顶部籽晶助溶剂法单晶生长炉系列

3温区加热： 150mm+300mm+150mm，三个温区由独立的温控系统控制，可创造出较大的温度梯度

zui高工作温度： 1200℃（小于1小时）

连续工作温度:  1100ºC

功率:  208V- 240V AC, 50/60Hz, 单相

zui大功率： 5KW

​合肥科晶材料技术有限公司成立于1997年，是美国MTI公司与中科院合肥物质科学研究院兴办的*。 公司目前主要从事氧化物晶体（A-Z）系列材料研发生产、溅射靶材制备和材料实验室及电池研发全套设备。公司从成立之初研发高温超导薄膜基片大尺寸LaAlO3单晶做起，目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶体是世界供应商。设备研发的各种高温炉，大尺寸高温高压炉，热等静压炉，单晶生长炉等，用于石墨烯、高通量、蒸发镀膜、高温超导薄膜、超导块材和线材的制备设备，涉及新能源材料，电池制备等成套设备，并为科研工作者提供材料研究解决方案，已经成为企业。