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IGBT,SiC MOS结电容测试服务（长禾实验室）
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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市*开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的*，是国家CNAS 认可实验室，属于专业大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有*的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、、工业控制、兵器船舶、航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室多年来一直秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全面的技术领域支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！
详细信息
使用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅通过层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压般达到20～30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之。因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当要触摸模块端子时，要先 将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之请先不要接上模块；
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅驱动电压没有超过栅大额定电压，但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅—发射间开路时，若在集电与发射间加上电压，则随着集电电位的变化，由于集电有漏电流流过，栅电位升高，集电则有电流流过。这时，如果集电与发射间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅回路不正常或栅回路损坏时（栅处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅与发射之间串接只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报或停止IGBT模块工作。
