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GCSTD-D新款GCSTD系列 土壤介电常数测定仪
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◆★◆★◆★◆落球回弹试验仪**选型及注意事项◆★◆★◆★◆
A:手动释放:手动释放钢球的原理是通过手柄上的磁铁吸住钢球,然后通过人为的外力使手柄和钢球分离,势必会导致钢球在下落过程中出现偏离和旋转,必然会导致钢球与试样接触后出现碰壁和偏离中心,并且由于每个人或者同一个操作人员每次操作力度不同,也会对结果产生误差,影响测试的成功率。
B:电动释放:电动释放钢球的原理是将钢球与电磁铁垂直并固定在有机玻璃管中心位置,通过断电后电磁铁失去磁性后自由下落,与试样接触后进行反弹,大大提高了试验效率和数据的可靠性。同时也满足了标准里所规定的钢球下落时不允许有旋转并处于中心位置的要求。
自动度数的精度比较高,但是如果由于操作失误或由于试样不平整而导致出现测试结果错误时,可以通过人工读数进行对比,有效降低了失误概率,从而使测试的数据更加严谨。
在标准里,对测试结果有如下的概述:每组测试3个试样,每个试样测试3个结果,从3个结果中取较大值,再计算3个较大值的平均值作为试样的平均回弹率。但是市场上的部分厂家仪器未能理解标准对测试结果的要求,从而导致测试结果数据不可靠,同时客户对此项的关注及重视程度不够,希望能够引起您的重视。
精度要求
在第5章和附录 A中所规定的精度是:电容率精度为士1%,介质损耗因数的精度为士(5%士0.0005)。这些精度至少取决于三个因素:即电容和介质损耗因数的实测精度;所用电极装置引起的这些量的校正精度;极间法向真空电容的计算精度(见表 1).在较低频率下,电容的测量精度能达士(0.1%士。02pF),介质损耗因数的测量精度能达士(2%士0.00005)。在较高频率下,其误差增大,电容的测量精度为士(0.5%士0. 1pF),介质损耗因数的测量精度为士(2%土。.0002).
对于带有保护电极的试样,其测量精度只考虑极间法向真空电容时有计算误差。但由被保护电极和保护电极之间的间隙太宽而引起的误差通常大到百分之零点几,而校正只能计算到其本身值的百分之几。如果试样厚度的测量能精确士。.005mm,则对平均厚度为 1. 6mm的试样,其厚度测量误差能达到百分之零点几。圆形试样的直径能测定到士0.1%的精度,但它是以平方的形式引人误差的,综合这些因素,极间法向真空电容的测量误差为10.5%e
对表面加有电极的试样的电容,若采用测微计电极测量时,只要试样直径比测微计电极足够小,则只需要进行极间法向电容的修正。采用其他的一些方法来测量两电极试样时,边缘电容和对地电容的计算将带来一些误差,因为它们的误差都可达到试样电容的2%-40%。根据目前有关这些电容资料,计算边缘电容的误差为 10%,计算对地电容的误差为25 。因此带来总的误差是百分之几十到百分之几。当电极不接地时,对地电容误差可大大减小。
采用测微计电极时,数量级是。.03的介质损耗因数可测到真值的士0.0003,数量级0.0002的介质损耗因数可测到真值的士。.00005。介质损耗因数的范围通常是。.0001-0.1,但也可扩展到。.1以上。频率在10MH:和20MHz之间时,有可能检测出。.00002的介质损耗因数。1-5的相对电容率可测到其真值的士20o,该精度不仅受到计算极间法向真空电容测量精度的限制,也受到测微计电极系统误差的限制
简要介绍
测试材料:
无源元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。
半导体元件:变容二极管的C-VDC特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析
其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估
介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估
磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
半导体材料:半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性
液晶材料:液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性
新款GCSTD系列 土壤介电常数测定仪
新款GCSTD系列 土壤介电常数测定仪