起订量:
介电常数测量仪
免费会员
生产厂家北京纵横金鼎仪器设备有限公司(简称金鼎仪器,JDYQ)于2016年注册成立,注册资金5000万元。是以中国航天研究院,清华大学系专家作为公司技术团队。公司致力于各类试验仪器的研发、生产、制造及销售,并有自主研发软件的专业团队,公司总部坐落于美丽富饶的经济文化交流中心——北京市,物华天宝,人杰地灵。
公司自创建以来,一直保持着健康稳定的发展态势,并以超过%的年均增长速度快速持续发展,完善的客户服务体系,确保了金鼎仪器产品的设计*,质量稳定,供货及时和服务周到。公司拥有自主的设计资质,已获得十余项国家Z利产品。公司拥有一批专业从事设计、制造、安装、调试及售后服务的员工队伍:在软件设计和技术研发上,公司拥有清华大学、工业大学高级工程师的专家团队和专业*、勇于创新的中青年专业技术人员和项目人员;金鼎仪器本着“铸造辉煌,唯有质量”的坚定信念。
金鼎仪器立志打造专业精深,通过不断创新及与用户的深入合作持续改进产品,保证用户对品牌的*信任。我们对品牌成功的定义或许与众不同,我们的目标是成为国内用户二次购买率的试验仪机品牌,即用户流失率的企业。
展望未来,金鼎仪器正在以打造基业长青百年企业的发展目标为指导,全面提升内部管控,按照专业化、规模化、品牌化、资本化的发展策略,先。同时,金鼎仪器不断致力于与企业集团强强合作,以共创中国精密仪器行业的美好明天而不断努力。
产品名称:介电常数测试仪介绍
产品型号:LJD-B、LJD-C、QS-37
符合标准:GB/T1409、GB/T5594
产品用途:固体、液体绝缘材料的介电常数及介质损耗测试
适用材料:橡胶塑料薄膜、陶瓷玻璃、绝缘材料、高分子材料等
测试范围:10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ
主要配置:主机Q表、夹具、电感组成
测试项目:介电常数、介质损耗、介质损耗因数、介质损耗角正切值
使用人群:科研所、教学、质量、单位等
付款方式:全款发货
产品品牌:纵横金鼎
产品货期:1-3个工作日
产品类别:电性能检测仪器
介电常数测量仪LKI-2电感组
LKI-2型电感组共包括不同电感量的电感9个,凡仪器在进行测试线圈的分布电容量,电容器的电容量,高频介质损耗,高频电阻和传输线特性阻抗等高频电路和元件的电性能时,必须用电感组作辅助工具。
本电感组有较高Q值,能使仪器测量时得到尖锐谐振点,因而增加其测量的准确度,各电感的有关数据如下表:
电感No | 电感量 | 准确度% | Q值≥ | 分布电容约略值 | 谐振频率范围 MHz | 适合介电常数测试频率 | |
LJD-B | LJD-C | ||||||
1 | 0.1μH | ±0.05μH | 180 | 5pF | 20~70 | 31~103 | 50MHz |
2 | 0.5μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 10~37 | 14.8~46.6 | 15MHz |
3 | 2.5μH | ±5% | 200 | 5pF | 4.6~17.4 | 6.8~21.4 | 10MHz |
4 | 10μH | ±5% | 200 | 6pF | 2.3~8.6 | 3.4~10.55 | 5MHz |
5 | 50μH | ±5% | 180 | 6pF | 1~3.75 | 1.5~4.55 | 1.5MHz |
6 | 100μH | ±5% | 200 | 6pF | 0.75~2.64 | 1.06~3.20 | 1MHz |
7 | 1mH | ±5% | 150 | 8pF | 0.23~0.84 | 0.34~1.02 | 0.5MHz |
8 | 5mH | ±5% | 130 | 8pF | 0.1~0.33 | 0.148~0.39 | 0.25MHz |
9 | 10mH | ±5% | 90 | 8pF | 0.072~0.26 | 0.107~0.32 | 0.1MHz |
介电常数测量仪附录 二
一 如何测试带粘性超薄绝缘材料的介电常数
1 用锡箔纸覆胶在材料的两面,上下层锡箔纸不能接触。锡箔纸厚度为DX;
2 超薄材料需要叠加:叠加方式如下
250μ贴合6层后测试;
200μ贴合8层后测试;
175μ贴合9层后测试;
125μ贴合12层后测试;
100μ贴合15层后测试;
75μ贴合20层后测试;
50μ贴合30层后测试。
3 计算公式
Σ=(D2-2*DX)/(D4-2*DX)
4 介质损耗系数测试同理
七、产品的交收检验
1.检验环境要求
a.环境温度:20℃±2℃ 相对湿度<50%;
b.供电电源:220V±10V 50Hz±1Hz;
c.被检设备要预热30分钟以上。
2.检验设备要求
a. 设备应在计量后的有效使用期内;
b. 检验设备应按仪器规定预热。
3.Q值指示检验
a.检验设备:BQG-2标准线圈一套;
b.把标准Q值线圈接入LJD-C测试仪电感接线柱上;
c.选择标准Q值线圈所规定的检定频率;
d.LJD-C测试仪的Q值读数的相对误差应符合二.1.C条固有误差所规定。
4.调谐电容器准确度检验
a. 测试时如发现干扰,应断开内部信号源。
b.设备连接如图六所示,连接线应尽量短,尽可能减小分布电容;
图 六
c.电容测试仪技术指标
测试范围:10-550pF、±5pF;
测试精度:10-550pF±0.1%、±5pF±0.05pF;
d.调谐电容器刻度盘上指示值与电容测试仪指示值之间误差应符合二.3.条规定。
5.频率指示误差检验
a.设备连接如图七所示
图 七
b.从后面板的频率监测端用BNC电缆连至频率计数器输入端;
c.频率计数器技术要求
测量范围:10Hz-1000MHz;
测量误差:<1×10-6;
测量灵敏度:<30mV;
d.测试线要求:高频电缆$YV-50-3;
e.-B测试仪频率指示值与频率计数器读数值间的误差应符合二.4.条规定。
附:贴片元件测试夹具使用方法
当采用我公司生产的QBG-3D/3E及LJD-C测试仪及配上相应的贴片元件测试夹具时可对贴片电容及贴片电感进行电容量、电感量及Q值、tgδ值的测量,测量时只要将测试夹具接入相应的Lx或Cx接线柱内,然后按说明书中“3”高频线圈电感值的测量及“5”电容器电容量的测量方法进行测量。
注意:因贴片元件尺寸较小,规格又不尽相同,因此放入夹具时应保持尽量居中并保证接触良好。
在测量小电感时,为了测试值的正确性,测得的读数应减去仪器的测试回路的剩余电感值,QBG-3D约27nH,QBG-3E约26nH,LJD-C约7nH(包括测试夹具)。
ASTM D150-11
实心电绝缘材料的交流损耗特性和
电容率(介电常数)的标准试验方法1
本标准是以固定代号D150发布的。其后的数字表示原文本正式通过的年号;在有修订的情况下,为上一次的修订年号;圆括号中数字为上一次重新确认的年号。上标符号(ε)表示对上次修改或重新确定的版本有编辑上的修改。
本标准经批准用于所有机构。
1.介电常数测试仪范围
1.1 本试验方法包含当所用标准为集成阻抗时,实心电绝缘材料样本的相对电容率,耗散因子,损耗指数,功率因子,相位角和损耗角的测定。列出的频率范围从小于1Hz到几百兆赫兹。
注1:在普遍的用法,“相对”一词经常是指下降值。
1.2 这些试验方法提供了各种电极,装置和测量技术的通用信息。读者如对某一特定材料相关的议题感兴趣的话,必须查阅ASTM标准或直接适用于被测试材料的其它文件。2,3
1.3 本标准并没有列举所有的安全声明,如果有必要,根据实际使用情况进行斟酌。使用本规范前,使用者有责任制定符合安全和健康要求的条例和规范,并明确该规范的使用范围。特殊危险说明见7.2.6.1和10.2.1。
1 本规范归属于电学和电子绝缘材料ASTM D09委员会管辖,并由电学试验D09.12附属委员分会直接管理。
当前版本核准于2011年8月1日。2011年8月发行。原版本在1922年批准。前一较新版本于2004年批准,即为 D150-98R04。DOI:10.1520/D0150-11。
2 R. Bartnikas, 第2章, “交流电损耗和电容率测量,” 工程电介质, Vol. IIB, 实心绝缘材料的电学性能, 测量技术, R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.
3 R. Bartnikas, 第1章, “固体电介质损耗,” 工程电介质,Vol IIA, 实心绝缘材料的电学性能: 分子结构和电学行为, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
2.介电常数测试仪引用文件
2.1 ASTM标准:4
D374 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法
D618 试验用塑料调节规程
D1082 云母耗散因子和电容率(介电常数)试验方法
D1531 用液体位移法测定相对电容率(介电常数)与耗散因子的试验方法
D1711 电绝缘相关术语
D5032 用饱和甘油溶液方式维持恒定相对湿度的规程
E104 用水溶液保持相对恒定湿度的标准实施规程
E197 室温之上和之下试验用罩壳和服役元件规程(1981年取消)5
3.介电常数测试仪术语
3.1 定义:
3.1.1 这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。
3.2 本标准术语定义:
3.2.1 电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。
3.2.1.1 讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:
C=q/V (1)
3.2.2 耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(见图1和图2)。
D=K''/K' (2)
4 相关ASTM标准,可浏览ASTM网站,astm.org或与ASTM客服service联系。ASTM标准手册卷次信息,可参见ASTM网站标准文件汇总。
5 该历史标准的较后批准版本参考网站.astm.org。
3.2.2.1 讨论——a:
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中:
G=等效交流电导,
Xp=并联电抗,
Rp=等效交流并联电阻,
Cp=并联电容,
ω=2πf(假设为正弦波形状)
耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串联和并联部分之间的关系满足以下要求:
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)