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InAsSb光伏探测器阵列 P15742-016DS
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详细信息
详细参数
| 光敏面积 | 0.45×0.7 mm |
| 象元数 | 16 |
| 封装类型 | 18-pin ceramic DIP |
| 制冷 | Non-cooled |
| 截止波长（典型值） | 5.3 μm |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 3.5 μm |
| 灵敏度（典型值） | 0.0065 A/W |
| 比探测率（典型值） | 1×109 cm・Hz1/2/W |
| 上升时间（典型值） | 0.0015 μs |
| 噪声等效功率（典型值） | 5.6×10-11 W/Hz1/2 |
| 结电容（典型值） | 0.6 pF |
| 测量条件 | Ta=25℃, Detectivity D*: (λp, 1200, 1), Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz |
光谱响应范围
外形尺寸图（单位：mm）
