THz-NeaSNOM 太赫兹近场光学显微镜

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THz-NeaSNOM 太赫兹近场光学显微镜

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详细信息

THz-NeaSNOM太赫兹近场光学显微镜 -30nm光学信号空间分辨率

太赫兹波段的纳米分辨散射式近场光学显微-谱仪系统:

neaspec公司推出的第三代散射式近场光学显微镜neaSNOM,采用的高阶解调背景压缩技术,有效 提取散射近场信号,在获得10nm空间分辨率的同时保持的信噪比,是目前世界上成熟的s-SNOM产 品。同时其赝外差干涉式探测技术,能够获得对近场信号强度和相位的同步成像。

由于的全反射式光学聚焦和无二的双光路设计,neaSNOM是目前世界上一款可以应用于太 赫兹波段的近场光学显微成像和谱仪系统。全新推出的THz-neaSNOM必将成为广大太赫兹科研工作者手中的 神兵利器。

对有机和无机材料同样适用
。封闭式外罩设计,减少气流干扰。
。预先校准的近场光路,近一步提高稳定性
。快速成像,并以10nm空间分辨率鉴别纳米材料
。同步探测近场光学信号强度、相位并成像
。可对单层石墨烯,蛋白质有效测量的高敏感度
。简单明了的光路说明和光源选择指示,培训、操作简便

产品简介:

太赫兹(THz)光源波长较大,一般在300微米左右。由于衍射极限的存在,THz远场测量系统的光学空间分辨率一般被限制在150微米左右。该THz光远场测量结果的准确度经常无法满足对材料科学研究,尤其是需要纳米分辨率的微细尺度材料分布研究(例如半导体芯片中各个组成:源极,漏极,栅极)的实验。THz-NeaSNOM近场光学显微镜的出现为此难题提供了一个很好的解决方案。

德国Neaspec公司与Fraunhofer IPM在Neaspec公司NeaSNOM近场光学显微镜的基础上,已经成功研发了一套易用使用且THz系统的空间分辨率达到30nm的实验设备。

THz-NeaSNOM主要技术参数与特点:

优于30nm的空间分辨率

。常用THz光范围:0.1-3THz

。设计的宽波段抛面镜

。THz研究可使用商业

散射型近场光学显微镜原理视频介绍:

HNeaSNOM 30nm空间分辨率

的背景信号压制技术:

s-SNOM技术相对于传统SNOM更难实现的主要瓶颈在于,探测器通过自由光路接收散射信号时,其接收到 的光学信号中99%以上是悬臂、样品等区域散射的背景信号,只有不到1%是来自于针尖与样品之间的有效近 场信号。只有成功的将有效的近场信号提取出来,才能获得可靠稳定的近场光学测量结果。

neaSNOM通过其的高阶信号解调技术结合干涉式探测方式,实现了对背景信号的有效压制,获得了对 散射近场信号高度可重复性、高信噪比的可靠测量。

在原理上,利用AFM探针的高频振动,远场光学信息在快速傅里叶变换后仅可获得一阶信号;相对地,近场光学信息可以获得一至四阶不同的信号。通过探测器对高阶信号的采集处理,从而实现从背景信号中对有效 近场信号的剥离。

neaSNOM拥有的heterodyne探测模块,可以利用参考镜进一步对剥离的近场信号进行调制,从而实现了对其强度和相位的同时采集和成像。

更广的波长范围和更高的分辨率
neaSNOM对晶体管成像

与传统SNOM技术受到分辨率极限的限制,而只能使用可见光或近红外光源不同,neaSNOM将可用光源拓展到中红外和太赫兹波段,并始终保持纳米级分辨率,这决定于neaSNOM的分辨率只与散射源尺寸( AFM 针尖曲率半径)有关这一技术特点。上图为,neaSNOM采用波长为10um的中红外光源和118um的太赫 兹光源获得的近场成像结果,其太赫兹成像的分辨率达到40nm,约为激发波长的1/3000,充分证明了 neaSNOM的高分辨能力。

在中红外和太赫兹波段的纳米成像能力,使得neaSNOM具有对纳米结构进行电学,分子、晶格振动等性质 的探测能力,近一步拓展了近场光学技术的应用范围,为更多学科提供了有利的表征手段。

更大的应用拓展空间

得益于优秀的双光路设计,neaSNOM在成像功能基础上具有了更大的应用拓展空间。利用预留的第二套可 用光路,neaSNOM可以实现对拉曼、荧光、光诱导和超快等领域的研究,部分研究成果已经发表在国际期刊。

专业的模块化设计

neaSNOM散射型近场光学显微镜采用模块化设计,将可见光、近红外、中红外照明探测单元,nano-FTIR ,

透射模式等功能进行封闭模块化设计,进一步提高了整体光路的稳定性,以及操作的简便性,便于使用者更 快掌握neaSNOM系统操作,获得高质量近场光学测结果。

用户友好的软件平台

neaSNOM散射型近场光学显微镜的软件平台历经数代开发整合,已兼容于windows系统并有着优秀的客户体验。的软件系统用户友好,操作简单,为防止使用人员的误操作,模块化的设计体系保证了仪器更 高的安全性。

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