失效分析是在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义，是根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。

我们为客户提供的电静检测分析服务为：场发射环境扫描电子显微镜、钨灯丝扫描电子显微镜、冷场发射扫描电子显微镜、透视电子显微镜、场发射透射电子显微镜。

设备名称：场发射环境扫描电子显微镜

型号：Quanta 400 FEG

厂家：美国FEI

主要用途：

• 可在高真空、低真空（130Pa)、环境真空(4000Pa)下观察导电和不导电样品，对材料的表面和横截面的微观形貌、成分进行分析，广泛应用于金属材料、高分子材料、半导体材料、纳米材料等领域；

• 配备的Apollo40 SDD能谱无需液氮制冷，可进行快速的点、线、面分布分析，获得能谱的mapping图谱；

• 其样品室直径达284 mm，对于直径达四英寸硅片可以直接进行测试，无需对样品进行分割处理；

• 附件MonoCL3+阴极荧光谱仪不仅可以测量材料微区在电子束激发下的发光光谱，而且可以进行成像 显示，从而可以对样品的禁带宽度、杂质缺陷等进行表征，获取更为丰富的信息；• 可以测量材料的电子束感生电流（EBIC）,从而获得材料内部结构缺陷等信息，与阴极荧光测量互为补充。

主要配置：

• MonoCL3+阴极荧光谱仪，波长范围160-930nm

• 电子束感生电流（EBIC）

• STEM探测器

• Apollo 40 SDD能谱仪

• 液氮冷台，温度范围为-185℃- +200℃

• 液氦冷台，温度范围为6K-300K

性能指标：

• 肖特基场发射电子枪

• 加速电压：200V-30 kV

• 放大倍数：12-2,000,000

• 分辨率：

高真空:

- 0.8nm at 30kV (STEM)

- 1.2nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 1kV (SE)

低真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 3kV (SE)

环境真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

• 样品室：284mm，5轴马达台

• EDS分辨率:优于136 eV，可分析包括B5以上的所有元素