轴向引出IGBT吸收电容器_IGBT吸收电容器2.5UF_轴向IGBT电容器

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轴向引出IGBT吸收电容器_IGBT吸收电容器2.5UF_轴向IGBT电容器

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薄膜电容器,金属膜电容器,轴向音频电容器

深圳佳名兴电容有限公司于1994年广东省惠州市投资成立电容器工厂
2006年01月12日成立深圳市佳明新电子有限公司
2017年12月28日正式更名为深圳佳名兴电容有限公司

佳名兴JMX广东省惠州市电容器工厂占地面积13149平米,厂房面积8227平方米,每

年生产的薄膜类电容(包括:金属化薄膜电容、音响薄膜电容,工业级电源用

薄膜电容、长寿命薄膜电容、等)轴向铝电解电容等被动元器件达8-13亿只

佳名兴JMX电容器60%-70%以上产品出口中国台湾,欧美,印度,东南亚等世界各地,

30%-40%销往中国大陆,产品规格齐全,体积小,可靠性优良,稳定性好,价格合

佳名兴JMX电容器被广泛用于:汽车音响,车载分音器,音响分频器,专

业音响功放,卫星通讯设备,LED驱动电源,LED节能灯,开关电源及电脑周边产品

等各个电子行业

公司先后通过了ISO9001,ISO14001,CQC,UL,VDE等10国安全认证,所有电容产

品均符合欧盟ROHS环保要求

JMX牌电容已为上千家客户提供优质电容近20年, JMX牌电容已经成为中国Z

优质诚信的电容供应商之一,热诚欢迎各界朋友莅临佳名兴电容器工厂参观,指导

和业务洽谈。电容器订购:0755-8527 4135,0755-66825333,售后客服:

13927412413,传真:0755-8527 6135了解电容器参数:WWW.JMXCAP.COM

详细信息

IGBT吸收电容器产品特点:

缓冲电容器的CRE系列IGBT缓冲电容器符合ROHSREACH标准。

高脉冲电流,高dv/dt承受能力

耐压高,损耗小,温升低

镀锡铜引出线

迈拉胶带封装。阻燃树脂灌注UL94V-0

自感小,等效串联电阻小

 

 

IGBT轴向吸收电容

 

IGBT吸收电容器产品应用:

①IGBT缓冲吸收

广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护

③应用于高压高频,高电流脉冲电路中

 

引用标准 GB/T17702,IEC 61071

气候类别  40/85/56

额定温度 85℃

工作温度范围-40℃~+85℃

额定电压700Vdc~3000Vdc

容量范围0.0047μF~6.8μF

容差±5%(J),±10% (K)

耐电压 1.5× UN(DC),10s

损耗角正切  ≤ 0.0006 (1kHz, 20°C)

绝缘阻抗  ≥100 000MΩ, CN≤ 0.33μF (at 100VDC,60s ,20~25℃) ≥30000s CN> 0.33uF

自感系数  ≦1nH/mm of capacitor and lead length used for connection.

工作寿命 Operation life time 100 000h at UN , θhs ≦70℃

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