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微区磁光克尔(MOKE)效应测量系统
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经销商上海昊量光电设备有限公司是目前国内光电产品专业代理商,也是近年来发展迅速的光电代理企业。除了拥有一批专业技术销售工程师之外,还有拥有一支强大技术和支持队伍。我们的技术和支持团队可以为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等工作。不但为客户提供适合的产品,而且为客户提供完善的服务是我们始终秉承的理念!
自2008年成立以来,昊量光电专注于光电领域的技术服务与产品经销,致力于引进国外很具*性与创新性的光电技术与可靠产品,为国内前沿的科研与工业领域提供优质的产品与服务,助力中国智造与中国创造! 目前,昊量光电已经与来自美国、欧洲、日本的多家光电产品制造商建立了紧密的合作关系。其代理品牌均处于相关领域的发展前沿,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究与国防等。
昊量光电坚持“专业源自专注,专注成就未来”的经营理念。近年来,我们专注于前沿的细分市场,为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、*激光制造等领域的客户提供系统解决方案。
秉承诚信、高效、创新、共赢的核心价值观,昊量光电坚持以诚信为基石,凭借高效的运营机制和勇于创新的探索精神为我们的客户与与合作伙伴不断创造价值,实现各方共赢!
立足于光电产业,昊量光电始终坚持价值创造与创新,赢得客户与合作伙伴的认可,不断拓展业务领域的新边疆,立志打造*的代理服务品牌!
克尔效应测量系统
高性价比磁光克尔效应测量系统!
当一束线偏振光照被磁性介质反射后,反射光的偏振面相对于入射光的偏振面有一个小的角度(克尔旋转角),这一现象被称为磁光克尔效应。后来这一效应被用来材料磁特性的研究。磁光克尔效应测量系统就是一套准确测量克尔旋转角的设备。磁光克尔效应测量系统是对极向克尔效应和纵向克尔效应克尔偏转角准确测量的设备,使得该设备成为研究磁性薄膜磁特性的测量工具。广泛的应用于磁性纳米技术、磁性薄膜等领域。
磁光克尔效应测量系统以激光作为光源,由于样品磁光克尔效应的磁性信号主要来自于光斑照射的区域,因此磁光克尔效应测量系统具有良好的局域性,可以实现在微米区域内材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作为“探针”,因此对样品不会造成任何损伤,实现对样品的无损测量,这对于需要做多次测量的样品是有利的。
磁光克尔效应测量系统具有的灵敏度,对克尔旋转角的探测精度可达到±0.001度。这一点使该设备在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用铁芯电磁特产生外加磁场,可以提供高达25KOe的外加磁场。
磁光克尔效应测量系统、磁性测量系统、MOKE system、微米区域克尔磁光效应测量系统、测量装置
上海昊量光电设备有限公司的磁光克尔测量系统主要可分为以下三类:
① 极向测量磁光克尔效应测量设备(MOKE磁滞回线测量系统)
代表产品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克尔效应(MOKE)测量设备是其中的一款,主要是对12英寸的垂直磁记录介质磁特性的测量。可以准确的探测分析每个探测点的磁滞回线,该产品应用408nm的固体激光器,光斑直径为1mm,外加磁场可高达25KOe。
磁光克尔(MOKE)效应测量系统
磁光克尔(MOKE)效应测量系统
② 向测量磁光克尔效应测量设备(MOKE磁滞回线测量系统)
代表产品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自动测量晶圆磁特性和各向异性的磁光克尔测量系统。可以对12寸的晶圆进行多达400个不同点的磁滞回线的测量,并且探测结果以成像的形式显示。
③ 微区域磁光克尔效应测量系统(m-kerr system)(极向+纵向,MOKE磁滞回线测量系统)
代表产品为BH-920系列。与前两款产品相比, BH-920系列拥有更小的激光光斑,可以对微米区域内的磁特性进行研究。BH-P920-NH是可进行极向的微区域磁光克尔效应测量系统,该设备具有的灵敏度可达到0.001°。与BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探测灵敏度并且兼具进行极向和纵向测量。
u 主要特点
l 高性能
l 成本低
l 高灵敏度(0.001°)
l 高稳定性
l 高外加磁场(25KOe)
u 主要应用
磁性纳米技术、磁性薄膜,磁性材料等磁学领域
u 测量项目
磁滞回线
X轴:外加磁场强度 H
Y轴:克尔旋转角 qk
通过磁滞回线可获得的参数
矫顽力 Hc
各向异性场 Hk
内禀矫顽力 Hn
饱和磁场强度 Hs
剩余磁化强度 qr
饱和磁化强度 qs
u 产品主要参数:
产品型号 参数 | BH-PI920系列 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
产品特点 | 微区域测量系统可满足纵向/极向测量 | 极向微区域克尔测量装置,具有高灵敏度 | 微区域测量系统可满足纵向/极向测量,具有较高的灵敏度 | 极向磁光克尔效应测量,对PMR薄膜晶圆的磁特性测量 | 纵向磁光克尔测量系统,可进行多点磁滞回线的测量 |
激光光源 | 半导体激光器(405nm) | 半导体激光器 (408nm) | 半导体激光器(405nm) | ||
光斑直径 | 纵向测量 约 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1´2mm |
极向测量 约 2mm [1/e2] | |||||
探测灵敏度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
探测范围 | ± 1° | ||||
外加磁场强度 | 极向磁体 >±10kOe | >±10kOe | 极向磁场 >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面内磁场 >±10kOe | 面内磁场 >±1T | ||||
可测样品大小 | 5´5´1tmm~10´10´1tmm | 5´5~10´10mm t:0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |