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OSI砷化镓光电探测器
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详细信息
OSI砷化镓光电探测器，GaAs光电探测器，650-860nm、动态范围宽
该产品的GaAs光电探测器与跨阻放大器进行了紧凑的集成，有源区尺寸为100μm。OSI砷化镓光电探测器与密封的4引脚TO-46或TO-52封装中的TIA相结合，提供了高速信号放大的理想条件。
低电容、低暗电流和650nm至860nm的高响应度使这些OSI宽动态跨阻放大器成为局域网、城域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。OSI探测器TO封装搭配透镜帽，以提高耦合效率，或搭配宽带双面AR镀膜的平面窗口。FCI-H125G-GaAs-100/FCI-H250G-GaAs-100系列还提供FC、SCST和SMA插座。
OSI宽动态跨阻放大器
| 额定值 | ||||
| 参数 | 符号 | 最小 |
| 单位 |
| 存储温度 | Tstg | -40 | 125 | °C |
| 工作温度 | Top | 0 | 75 | °C |
| 电源电压 | Vcc | 0 | 6 | V |
| 输入光功率 | PIN | … | 5 | dBm |
OSI砷化镓光电探测器/跨阻放大器光电特性
| 光电特性TA=23°C, Vcc=+3.3V, 850nm, 100Ω差分交流负载 | |||||||||
| 参数 | 符号 | 条件 | FCI-H125G-GaAs-100 | FCI-H250G-GaAs-100 | 单位 | ||||
| 最小 | 典型 |
| 最小 | 典型 |
| ||||
| 电源电压 | VCC | … | +3 | … | +5.5 | +3 | … | +5.5 | V |
| 电源电流 | ICC | TA0-70°C | … | 26 | *55 | … | 35 | *65 | mA |
| 有效区域直径 | AAφ | … | … | 100 | … | … | 100 | … | μm |
| 工作波长 | λ | … | 650 | … | 860 | 650 | … | 860 | nm |
| 响应度 | Rλ | -17dBm差分 | 1000 | 1700 | … | 1000 | 1650 | … | V/W |
| 跨阻 | … | -17dBm差分 | … | 2800 | … | … | 2800 | .. | Ω |
| 灵敏度 | S | BER10-10, PRBS27-1 | -22 | -26 | … | -19 | -22 | … | dBm |
| 光过载 | … | … | 0 | … | … | 0 | … | … | dBm |
| 带宽 | BW | -3dBm,小信号 | … | 900 | … | … | 1700 | … | MHz |
| 低频截止 | … | -3dBm | … | 45 | … | … | 30 | … | KHz |
| 差分输出电压 | VOUT, P-P | -3dBm | 180 | 250 | 420 | 200 | 400 | 600 | mVp-p |
| 输出阻抗 | … | … | 47 | 50 | 53 | 47 | 50 | 53 | Ω |
| 跨阻线性范围 | … | <5% | 50 | … | … | 65 | … | … | μWp-p |
使用交流耦合和差动100Ω负载为高速性能。设备不是用于驱动直流耦合，50Ω接地负载。
OSI砷化镓光电探测器/跨阻放大器应用：
-高速光纤通信
-千兆位以太网
-光纤通道
-自助取款机
-数据传输协议
OSI混合型探测器放大器
我们的基于砷化镓的光电二极管具有100μm有效面积和400至850nm的灵敏度范围，集成了宽动态跨阻放大器。
| 型号 | FCI-H125G-GaAs-100 | FCI-H250G-GaAs-100 |
| 有效区域直径 | 100μm | 100μm |
| 供给电压 | 3-5.5V | 3-5.5V |
| 供电电流 | 26mA | 35mA |
| 工作波长 | 650-860nm | 650-860nm |
| 响应度-17dBm（差分） | 1700V/W | 1650V/W |
| 跨阻-17dBm(差分) | 2800Ω | 2800Ω |
| 灵敏度BER10-10(PRBS2-7-1) | -26dBm | -22dBm |
| 带宽-3dB | 900MHz | 1700MHz |
| 低频截止-3dB | 45KHz | 30KHz |
| 差分输出-3dB | 250mV p-p | 400mV p-p |
| 输出阻抗 | 50Ω | 50Ω |
| 封装 | TO-46或者TO-52 | TO-46或者TO-52 |
| 过渡线性范围 | 50μW p-p<5% | 65μW p-p<5% |
