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密度计，光声光谱仪，溶解氧分析仪，水处理装置

北京杜克泰克科技有限公司，是一家专注于工业气体分析、工业过程控制、矿业勘察的科技公司，致力于为环境保护、能源电力、石油化工、冶金矿业、天然气、生物制药等行业提供工业过程参数测量仪器和解决方案。

详细信息

AMC空气分子污染物监测系统猎户座3100S

AMC空气分子污染物监测系统

猎户座3100S

概述：

光刻工艺洁净室内痕量级NH₃,HCL,HF等气体的超高灵敏度、实时测量

实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响，对很多微量污染物极为敏感，比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来极大的危害，尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展，已经减少了长时间持续实时监测，而实际上空气分子污染（AMC）的实时测量对产品质量的好坏至关重要。

猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术连续分析仪器，将增加半导体器件阻抗一致性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。

DUKE HMI（人机交互界面）软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析，软件专门针对半导体行业开发，对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染（AMC）提供有力的支持，软件集成了多点采样（MS）控制功能，具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。

猎户座3100S 系统：

完善的空气分子污染（AMC）监测

实时监测空气分子污染（AMC）对于半导体生产过程极为重要。快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。

深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸类等浓度测量，当这些气体与化学放大光刻胶反生反应时，将深深的影响半导体器件质量。

传统古老的方法多采用间接测量分析方法。包括撞击滤尘器、离子色谱、化学荧光法，这些方法分析速度太慢，操作过程太复杂，昂贵并且测量结果不精确。

DUKE采用被证明的CEAS（腔增强吸收光谱）技术解决AMC（空气分子污染物）监测难题，可快速测量痕量级NH3、HCL、HF，采用脉冲荧光法测量SO2，采用增强型GC-FID测量VOCs。

猎户座 3100S系列空气分子污染物监测系统测量痕量级NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性，是半导体行业洁净室AMC（空气分子污染）测量的有力工具。

猎户座 3100S也集成了多点监测系统，可依序将气体抽送到分析仪或传感器，并读出测量结果。猎户座 3100S内嵌的报警、报告、分析软件是由多年半导体行业经验的工程师集体开发。

猎户座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模拟模块可以输出来自4~6台分析仪或传感器的数据。

每台分析仪配有内置计算机（Linux OS），可进行数据存储和数据输出，还支持远程网络控制，通过互联网可以连接DUKE公司总部或者当地经销商服务商，进行操作或者诊断。

使用者可以通过网络浏览器比如IE、Chrome等世界任意可以联网的地方进行操作，远程操作可实现多级管理权限控制和操作。

优势：

仪器基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术，极简使用、便捷操作，所有部件（包括内置真空泵、键盘、鼠标、显示器等）几分钟内可开始记录数据，其他大气中的水汽、CO2、O2、甲烷等不会对HCL、HF、NH3等测量构成交叉干扰。内置计算机可以存储大量数据到内置硬盘上，可同过数字接口或者模拟接口传输数据，可通过互联网远程存储或记录数据，高质量的数据库，适合于苛刻的半导体痕量级气体应用。

原理：

基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术的仪器原理图，使用近红外波段光进行高灵敏度吸收测量，测量腔室由一组高反射率多次反射镜片组成的柱状体构成，激光束经过固态校准器（FSR=2.00GHz）时会测量得到相对激光波长。为了保证清晰度，忽略了原本照射到左侧测量单元腔镜外的光束。

EP增强型版本集成了压力传感器和内部温度控制器，具有超稳定性测量腔室，防止温度漂移、压力变化等造成的误差。

CEAS（腔增强吸收光谱）相比于代的CRDS（腔衰荡光谱）技术，有许多已被证明的优势。简而言之，激光束不需要共振耦合进入测量腔室（例如光束不需要严格对准）。DUKE分析仪器和系统具有安装简单、机械牢固、防护结实等特点。

特性：