光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。

光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。

光电探测器件的应用选择，实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中，可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下，选用某种器件会更合适些。例如，当需要比较大的光敏面积时，可选用真空光电管，因其光谱响应范围比较宽，故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时，采用光电倍增管最合适，因为其放大倍数可达10^4～10^8以上，这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量，使得对探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此，在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面，光电倍增管得到广泛应用。

EMG SV1-10/16/315/6

EMG SV1-10/32/315/6

光电探测头 :EVK2-CP/600.71/L/R  EMG纠偏单元 EPC无液压站自动对边设备

高频交变光测量接收器:LS13 IP54, 0~50℃.

高频交变光测量接受器:LS14; IP54, 0~50℃.

高频交流光发射器:LLS675/01

数字式控制单元:ICONXE/AE1054

线性位移传感器:KLW 300.012

液压阀台:HT16.500

液压伺服阀SV1-10/48/315/6

带CAN-BUS 20米

供电: 220VAC

信号输出PROF INET

固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自动曝光）中得到采用；光电池是固体光电器件中具有最大光敏面积的器件，它除用做探测器件外，还可作太阳能变换器；硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高，而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率，因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。

photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。

EMG LS13.01测量光电传感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器

EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG

LS14.01 EMG 测量光电传感器

EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 对中光源发射器

EMG LID2-300.2C 对中光源发射器

EMG LLS 1075 线性光源发射器

EMG LLS 1075/01 线性光源发射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 线性光源发射器

EMG LLS 675/01 线性光源发射器

EMG 线性光源发射器 LLS875/01

EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 线性光源发射器

EMG LIC1075/11光源发射器

EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50

EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源发射器

EMG  LIC770/01 光源发射器

EMG LIC1075/01 光源发射器

EMG LIC770/11  CPC高频光源

EMG LID2-800.32C 对中光源发射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀

伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英国W·史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到二十世纪50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。

工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K；本征吸收系数大,样品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。

LWH300SI6C EMG 线性位移传感器 对中装置