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EMG Card PDP 01.1 系列模块 原装
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EMG Card PDP 01.1 系列模块 原装
用于将电信号转成光信号并耦合进光纤的设备光发射机的作用是将从复用设备送来的HDB3信码变换成NRZ码；接着将NRZ码编为适合在光缆线路上传输的码型；最后再进行电/光转换，将电信号转换成光信号并耦合进光纤。
光发射机由输入接口、光源、驱动电路、监控电路、控制电路等构成，其核心是光源及驱动电路。在数字通信中，输入电路将输入的信号（如PCM脉冲）进行整形，变换成适于线路传送的码型后通过驱动电路光源，或者送到光调制器调制光源输出的连续光波。为了稳定输出的平均光功率和工作温度，通常要设置一个自动的温度控制及功率控制电路。
调制方式通常分为两大类，即模拟调制和数字调制。
EMG Card PDP 01.1 系列模块 原装
MAIN CONTROLLER主控制器:主控制箱 SPC 16.029+/ST05630 EMG
LIC 1375/01 EMG
EMG Bus 02-1.2 T-NR :133003
EMG Card PDP 01.1
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
EMG SV1-10/32/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/8/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/16/120/6 伺服阀
EMG SV1-10/48/315-6 伺服阀
EMG SV1-10/4/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/4/100/6伺服阀
EMG SV1-10/8/100/6伺服阀
EMG SV1-10/16/100/6 伺服阀
EMG 伺服阀 SV1-10/8/100-6
EMG 伺服阀 SV1-10/16/315/6
EMG传感器CCD pro-5000
EMG SV1-10/16/315/8 伺服阀
EMG SV1-10/16/315/6伺服阀
SMI-HR/500/2400/1700/200/A/传感器
伺服阀 CPSV-F040-LTQ-10/7P
传感器 SMI 1-53
BMI4/60/80 传感器
EMG SV1-10/48/315/6伺服阀
EMG SV1-10/32/100/6伺服阀
EMG传感器 BMI4/60/80/L/S.723
EMG传感器 BMI4/60/80/R/S.723
固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自动曝光）中得到采用；光电池是固体光电器件中具有最大光敏面积的器件，它除用做探测器件外，还可作太阳能变换器；硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高，而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率，因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。
EMG LS13.01测量光电传感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器
EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG
LS14.01 EMG 测量光电传感器
EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 对中光源发射器
EMG LID2-300.2C 对中光源发射器
EMG LLS 1075 线性光源发射器
EMG LLS 1075/01 线性光源发射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 线性光源发射器
EMG LLS 675/01 线性光源发射器
EMG 线性光源发射器 LLS875/01
EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 线性光源发射器
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年，英国W·史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到二十世纪50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。
工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K；本征吸收系数大,样品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。
EMG LLS 1275/01 高频光源发射器LICHTBAND
