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HALL8686 变温霍尔效应测试仪
- 型号
- HALL8686
北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区*代理。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化，为广大中国用户提供*的仪器、设备，Z周到的技术、服务和*的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国，光电技术、材料科学、半导体薄膜薄膜生长和加工技术、表面材料物性分析、生物药物开发、有机高分子合成等等领域，都需要与欧美发达国家*接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代，我们愿意化为一座桥梁，见证中国科技水平的提升，与中国科技共同飞速成长。
主要产品:
1. 晶圆探针台、平板式样品探针台、Mini腔探针台、四探针台、环境可控型四探针台、低温（变温）真空探针台、霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪
2. 在线粘度计、便携式在线粘度计、高温粘度计
3. 高纯镀膜材料：五氧化三钛、钛酸镧、二氧化硅、镧铝混合物、氧化铝、硅铝混合物、氧化钽、氧化铌
4.半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器、激光谐振腔设计软件
5. 体全息光栅（VHG）、脉冲展宽器、脉冲压缩器、脉冲抑制器、陷波滤波器、ASE抑制滤波器、合束器、多线滤波器、相位掩模版、VHG-FAC、激光稳频元件、氟化钙（CaF2）晶体、Er:YAG晶体、Nd：YAG晶体、Yb：YAG晶体、Ho:YAG晶体、Tm：YAG晶体、铌酸锂晶体（ＬiＮbO3）、掺铒玻璃、磁旋光玻璃
6.真空设备配件：磁控阴极（含圆形和矩形）、气体质量流量器（MFC）、朗谬尔探针、气体闭环控制器等
7.日本UNIOPT公司应力双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应（MOKE）测试仪、薄膜残余应力测试仪
8.日本APCO公司精密自动划片机
9.日本NDS公司半自动自动划片机、贴膜机、UV解胶机、清洗机、晶圆划片（切割）刀、电畴划片刀、陶瓷划片刀、金属烧结划片刀、树脂划片刀等
10.美国Capacitec公司孔径测量仪、空隙测量仪
详细信息
北京飞凯曼公司提供连续变温霍尔效应测试仪。中国台湾SWIN公司生产的变温霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。
除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。
Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于中国台湾半导体厂商。
主要特点
1、高精密度电流源
输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。
2、高精密度电表
使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。
3、外型精简、操作简单
外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，*之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性*。
4、I-V曲线
采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。
5、单纯好用之操作画面
使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。
6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。
技术参数
磁场强度：0.53T;
温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；
输出电流：1nA-100mA;
迁移率(cm2/Volt-sec):1-107
阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107
载流子浓度(cm-3):107 - 1021
样品尺寸：5-15mm，厚度1mm
样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；
测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
仪器尺寸(DxH)：400*360*200 mm
仪器重量：15kg
