ZP-500A/1000V普通硅整流管

2CZ二极管ZP-500A/1000V普通硅整流管

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2018-04-30 08:10:54
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ZP-500A/1000V普通硅整流管固态继电器:SSR3-10DA,SSR3-15DA,SSR3-25DA,SSR3-40DA,SSR3-50DA,SSR3-80DA,SSR3-10DA-H,SSR3-15DA-H,SSR3-25DA-H,SSR3-40DA-H,SSR3-50DA-H,SSR3-80DA-H,SSR3-10AA,SRR3-15AA,SRR3-25AA,SRR3-40AA,

详细介绍

ZP-500A/1000V(2CZ-500A/1000V)普通硅整流管是位于上海的上海富继电气有限公司为您精心挑选的的重要产品之一,ZP-500A/1000V二极管一般通过的电流较大。利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。有大功率整流管和小功率整流管。耐压和频率有高有低。就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,工作频率小于KHz,zui高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

ZP-500A/200V普通硅整流管,ZP-500A/400V普通硅整流管,ZP-500A/600V普通硅整流管,ZP-500A/1000V普通硅整流管,ZP-500A/1200V普通硅整流管,ZP-500A/1600V普通硅整流管,ZP-500A/1800V普通硅整流管,ZP-500A/2000V普通硅整流管

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

固态继电器:SSR3-10DASSR3-15DASSR3-25DASSR3-40DASSR3-50DASSR3-80DASSR3-10DA-HSSR3-15DA-HSSR3-25DA-HSSR3-40DA-HSSR3-50DA-HSSR3-80DA-HSSR3-10AASRR3-15AASRR3-25AASRR3-40AASRR3-50AASRR3-80AA

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