锑化铟

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参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2015-06-15 13:56:04
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产品简介

FK1776锑化铟99.99% metals basis5g

详细介绍

FK1776锑化铟99.99% metals basis5g
Cas号1312-41-0
MDL:
--MFCD00016146
Beilstein
EINECS:
--215-192-3
分子式InSb
分子量236.58
别名
分子结构式
备注:
性状
 
备注: 以上描述,仅作参考,并不表示您收到的产品,与此项描述*相符,产品的出厂标准,请参见质量标准。
贮存
用途InSb is a III-V semiconductor and has a very narrow band gap (170 meV) and high electron mobilitiy, making it a material of interest for high-speed electronics, photovoltaic applications, IR detecting devices, thermoelectrics, and magnetoresistive sensors.
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