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武汉市所在地
产品特点
硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现*变化,这种物理效应称为压阻效应。
利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一切硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件,使之输出一个标准信号,就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。CN421型扩散硅压力变送器采用全智能技术,结构紧凑、坚固、重量轻、便于安装、使用方便、免维护;用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力,然后将其转变成4~20mADC HART电流信号输出。
产品优势
1.高精度、高稳定性、高可靠性;
2.抗过载和抗冲击力强;
3.量程覆盖范围广;
4.过程连接形式多样,具有齐平膜、卫生型;
5.体积小、外形美观;
6.直接过程连接无需安装支架;
7.防雷击、防射频干扰;
电源电压 | 16~28VDC(本安型经安全栅供电) |
输出信号 | 二线制 4 ~20mA DC/HART 协议数字通讯( 可选) |
精度 | ±0.1%FS(典型) ±0.25%FS(极大) |
负载电阻 | (U~12V)/0.02Ω |
稳定性 | ≤±0.25%FS/年 |
接液材质 | 隔离膜片:316L 不锈钢或钽(可选) |
压力接口 | 不锈钢1Cr18Ni9Ti/哈氏合金C |
防护等级 | IP65 |
防爆认证: | 本安(Ex i b ⅡC T6) ;隔爆(Ex d ⅡC T6) |
环境温度: | 温度-40~+80℃ |
环境湿度: | 0~90%RH |
过程连接 | M20*1.5外螺纹(膜片内藏)/ G1/2外螺纹(膜片内藏)/ M20*1.5外螺纹(齐平膜型) /卡箍式 |
压力类型 | 表压/绝压 |