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¥6600美国Opto diode光电二极管阵列
AXUV16ELG光电二极管阵列,Opto Diod光电探测器阵列
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器,以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号,采用40针双列式封装或者22针双列式封装,是电子检测的理想选择。有保护性盖板,以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应,从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²,AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列,AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C,在氮气和真空下温度是-20°C~80°C,引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸,持续10秒。发货时带有临时盖子,以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前,请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。
Opto Diode光电二极管阵列型号
AXUV16ELG光电二极管阵列的特点
- 40针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板
在25°C时的电光特性
AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下,有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时,电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。
AXUV20ELG光电探测器阵列的特点
- 22针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板3
AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下,有效面积的典型值是3mm²,灵敏度见图,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V,最小值是20V。VR=0V时,电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。
美国Opto diode光电二极管阵列