LED防爆平台灯50W

产品特点

◎  外壳采用铝合金压铸成型，经抛丸处理后高压静电喷塑；

◎  透明罩采用聚碳酸酯材料，透光率高，抗冲击，抗光老化；

◎  高亮度LED光源体积小、光效高、功耗低、理论寿命长达100000小时；

◎  复合型结构设计，接线腔采用增安型结构，电源连接方便快捷；

◎  宽电压范围，满足用户工业现场的使用要求；

◎  特殊设计的密封结构，产品防护等级高；

◎  精心设计的安装附件，安装方便快捷；

◎  外露紧固件采用不修钢材质；

◎  LED防爆平台灯50W钢管或电缆布线。

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本产品严格按照IS9001:2000质量管理体系标准进行质量控制,确保产品高于国家标准，*达到设计要求,自购买之日起3年内（光源1年）,产品正常使用下出现任何故障由本公司免费维修。

适用范围

¤  适用于1区、2区危险场所；

¤  适用于ⅡA、ⅡB、ⅡC类爆炸性气体环境；

¤  适用于爆炸性气体混合温度：T1~T4；

¤  广泛用于石油，化工、冶金，*，医药等危险环境。

技术参数

●  执行标准：GB3836.1-2000、GB3836.2-2000、IEC60079；

●  防爆标志：Exe IIT4；

●  额定电压：AC220V/50Hz；

●  额定功率：10---200W

●  色温：普通白光；5500-6500K

●  普通黄光：2700-3000K

●  光效（IM/W);90～100

●  显色性：80（普通白）

●  光通量：

         40W   4000-4400  

         50W   5000-5500

         60W   6000-6600

●  外形尺寸300X240X215           

　首先，2012年上游产能逐步释放，LED防爆平台灯50W外延芯片价格压力仍将持续，国产化率稳步提升，国内外竞争加剧波及大功率芯片。

　　2011年，国内的MOCVD总数达到720台，按目前各公司调整后的设备引进计划，预计2012年MOCVD的安装量将维持在300台左右的水平。2011年，国内企业芯片营收增长30%，达到65亿元，但远远不及MOCVD设备106%的增速，这也反映出国内芯片产能未能充分发挥，2012年外延芯片价格压力仍将持续。

　　2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已经通过小芯片集成的方式在照明应用取得突破;大功率照明芯片20%的*仍然较低，但随着研发创新和产品品质的提升，总体趋势是国内芯片占有率小幅提高，国外芯片价格有望突破6000RMB/K。

　　尽管2011年末LED市场增量放缓，但仍有来自日本和中国台湾地区的上游项目入驻中国大陆，这也造成2012年国内LED外延芯片领域竞争趋势加剧，在宏观经济形势持续动荡的形势下，国内上游产业投资将趋谨慎。

　　其次，2012年封装领域，优质企业将整合更多行业资源，LED防爆平台灯50W产品结构向高亮LED、SMDLED集中，总体市场保持增量减利趋势，上下游合作整合成为封装企业突围的新模式。

　　2011年，以国星光电、瑞丰光电、鸿利光电为首的LED封装企业陆续发力、纷纷入市，2012年资本与封装企业的合作将更加紧密与活跃。

　　2011年，我国LED封装产业整体规模达到285亿元，较2010年的250亿元增长14%，产量则由2010年的1335亿只增加到1820亿只，增长36%。2012年，国内封装产量依然会保持30%以上的增长，但由于利润率受到上下游成本与需求的挤压，造成总体产值增长不会超过20%。

　　从产品结构来看，高亮LED产值达到265亿元，占LED封装总销售额的90%以上;SMDLED封装增长zui为明显，已经成为LED封装的主 品，2012年，SMD和高亮LED所占比例仍将有有较大提升。

　　LED封装企业作为产业链中间环节，往往需要承受来自纵向与横向两个方面的竞争压力，尽管2011年的资本介入增加了部分LED封装企业的竞争筹码，然而，整合突围仍然是落在封装企业肩头的一副重担。据笔者获悉，目前一些封装企业已经展开了与国内传统照明大厂的合作，共同投资、合作建厂的模式或许会成为这条突围路上的新尝试。

　　再有，2012年LED应用领域将保持较快增长，照明、景观、背光仍是拉动增长的三驾马车，LED照明应用热点进一步从户外照明转向室内，市场需求和国内政策引导将成为决定LED照明增长速度的关键要素。LED照明应用竞争格局存在诸多变数，具有资金、规模、技术、品牌和市场渠道优势的企业成为产业整合的主体。