雪崩能量测试仪ITC55100【深圳市云帆兴烨科技有限公司 :,:】ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。ITC5730半导体功率器件动态参数测试系统。可测试N型、P型MOSFET,NPN和PNP Bipolar Transistor,IGBT的开关时间. Trr, Qrr 测试，栅极电荷测试。
 

雪崩能量测试仪ITC55100

测试模式
单脉冲松开电感的开关（UIS）
单脉冲雪崩应力（EAS）
重复性雪崩能量（EAR）
重复脉冲故障（RPF）
 
执行的测试
连续性测试装置的插座和/或接触
DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试
- 前，后的雪崩
功能设备测试
雪崩测试
 
特点
单路/双路设备测试
N沟道，P沟道，混合
全固态切换 - 无需继电器
更快的测试
电流范围：0.1A至200A，0.1A步骤
雪崩电压至2500V
触摸屏程序进入/控制
波形捕获/显示
内部测试程序存储（20个文件）
高速电感充电，减少了测试时间
可编程漏电测试电压
前置/后置雪崩泄漏测试
雪崩折叠测试
多功能测试处理器控制
15硬件排序箱
改进的电压/电流精度
通过Flash下载软件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制参数输入密码
使用所有ITC电感负载箱
接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF
内置自我测试