| 序号 | 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | RoHS |
| 1 |  | BC817 | Rectron | Reel | 两极晶体管 - BJT Gen Pur Trans NPN,0.8A,45V |  无铅 |
| | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 50 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | 集电极—射极饱和电压： | 700 mV | | zui大直流电集电极电流： | 500 mA | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | Rectron | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 40 | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 600 | | zui大功率耗散： | 250 mW | | zui小工作温度： | - 55 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 3000 |
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| 2 |  | BC817,215 | NXP Semiconductors | Reel | 两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 0.5 A | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | NXP Semiconductors | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 100 at 100 mA at 1 V | | zui大功率耗散： | 250 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 3000 | | 零件号别名： | BC817 T/R |
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| 3 | | BC817,235 | NXP Semiconductors | Reel | 两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-13 | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 0.5 A | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | NXP Semiconductors | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 100 at 100 mA at 1 V | | zui大功率耗散： | 250 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 10000 | | 零件号别名： | /T3 BC817 |
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| 4 |  | BC817-16 | Taiwan Semiconductor | Reel | 两极晶体管 - BJT Transistor 300mW | 无铅 |
| | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | 集电极—射极饱和电压： | 0.7 V | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | Taiwan Semiconductor | | 集电极连续电流： | 500 mA | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 40 | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 250 | | zui大功率耗散： | 300 mW | | zui小工作温度： | - 55 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 3000 |
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| 5 | | BC817-16,215 | NXP Semiconductors | Reel | 两极晶体管 - BJT NPN 45V 500mA | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 0.5 A | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | NXP Semiconductors | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 100 at 100 mA at 1 V | | zui大功率耗散： | 250 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 3000 | | 零件号别名： | BC817-16 T/R |
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| 6 | | BC817-16,235 | NXP Semiconductors | Reel | 两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-13 | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 0.5 A | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | NXP Semiconductors | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V | | 直流电流增益 hFE zui大值： | 100 at 100 mA at 1 V | | zui大功率耗散： | 250 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 10000 | | 零件号别名： | /T3 BC817-16 |
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| 7 |  | BC817-16-7 | Diodes Inc | 带卷 (TR) | TRANSISTOR 45V NPN SMD SOT23-3 |  含铅 |
| | | 标准包装： | 3,000 | | 类别： | 分立式导体产品 | | 家庭： | 晶体管(BJT) - 单路 | | 系列： | - | | 包装： | 带卷 (TR) | | 晶体管类型： | NPN | | 电流 - 集电极 (Ic)（zui大值）： | 800mA | | 电压 - 集射极击穿（zui大值）： | 45V | | 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（zui大值）： | 700mV @ 50mA，500mA | | 电流 - 集电极截止（zui大值）： | 100nA | | 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（zui小值）： | 100 @ 100mA，1V | | 功率 - zui大值： | 310mW | | 频率 - 跃迁： | 100MHz | | 安装类型： | 表面贴装 | | 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | | 供应商器件封装： | SOT-23-3 | | 其它名称： | BC817167 |
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| 8 |  | BC817-16-7-F | Diodes Incorporated | Reel | 两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 0.8 A | | 增益带宽产品fT： | 100 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | Diodes Incorporated | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 | | zui大功率耗散： | 310 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 系列： | BC817-16 | | 工厂包装数量： | 3000 |
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| 9 |  | BC817-16E6327 | Infineon Technologies | Reel | 两极晶体管 - BJT NPN 45 V 500 mA | 无铅 |
| | | 产品种类： | 两极晶体管 - BJT | | 配置： | Single | | 晶体管极性： | NPN | | 集电极—基极电压 VCBO： | 50 V | | 集电极—发射极zui大电压 VCEO： | 45 V | | 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V | | zui大直流电集电极电流： | 1 A | | 增益带宽产品fT： | 170 MHz | | zui大工作温度： | + 150 C | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23 | | 商标： | Infineon Technologies | | 集电极连续电流： | 500 mA | | 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 | | zui大功率耗散： | 330 mW | | zui小工作温度： | - 65 C | | 封装： | Reel | | 工厂包装数量： | 3000 |
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| 10 |  | BC817-16LT1 | ON Semiconductor | 剪切带 (CT) | TRANS NPN GP 500MA 45V SOT23 | 含铅 |
| | | PCN Obsolescence： | Multiple Devices 03/Jan/2008 | | 标准包装： | 10 | | 类别： | 分立式导体产品 | | 家庭： | 晶体管(BJT) - 单路 | | 系列： | - | | 包装： | 剪切带 (CT) | | 晶体管类型： | NPN | | 电流 - 集电极 (Ic)（zui大值）： | 500mA | | 电压 - 集射极击穿（zui大值）： | 45V | | 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（zui大值）： | 700mV @ 50mA，500mA | | 电流 - 集电极截止（zui大值）： | - | | 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（zui小值）： | 100 @ 100mA，1V | | 功率 - zui大值： | 225mW | | 频率 - 跃迁： | 100MHz | | 安装类型： | 表面贴装 | | 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | | 供应商器件封装： | SOT-23-3（TO-236） | | 其它名称： | BC817-16LT1OSCT
BC81716LT1 |
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