磁阻效应综合实验仪 型号:HLD-MRE-II

磁阻效应综合实验仪 型号:HLD-MRE-II

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产品简介

本仪器采用两种材料的传感器:砷化镓(GaAS)霍尔传感器和锑化铟(InSb)传感器,可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。磁阻效应综合实验仪 型号:HLD-MRE-II

详细介绍


磁阻效应综合实验仪 型号:HLD-MRE-II磁阻效应综合实验仪 型号:HLD-MRE-II



本仪器采用两种材料的传感器:砷化镓(GaAS)霍尔传感器和锑化铟(InSb)传感器,可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点,可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。
技术参数:
1、励磁恒流源:0~1.0A连续可调,分辨率1mA,三位半数字显示;
2、恒流输出电流:0~3mA,连续可调,供锑化铟传感器工作的电流;
3、电压表:量程0~1999.9mV,分辨率0.1mV,四位半数字显示;,
4、数字式毫特仪:四位半数字显示,测量范围0~1000mT,分辨率0.1 mT;
5、交流励磁电压VP-P≥12V ,频率≤10HZ;
6、电磁铁,缝隙约5mm;
7、移动尺装置:横向移动距离0~40mm;
8、仪器采用进口多圈电位器;
9、励磁电流采用六脚船型换向开关;
实验内容:
1、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线;
2、了解磁阻传感器的工作原理;
3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布;
4、观察磁阻元件的倍频效应。

重量约10kg左右


本仪器采用两种材料的传感器:砷化镓(GaAS)霍尔传感器和锑化铟(InSb)传感器,可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点,可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。
技术参数:
1、励磁恒流源:0~1.0A连续可调,分辨率1mA,三位半数字显示;
2、恒流输出电流:0~3mA,连续可调,供锑化铟传感器工作的电流;
3、电压表:量程0~1999.9mV,分辨率0.1mV,四位半数字显示;,
4、数字式毫特仪:四位半数字显示,测量范围0~1000mT,分辨率0.1 mT;
5、交流励磁电压VP-P≥12V ,频率≤10HZ;
6、电磁铁,缝隙约5mm;
7、移动尺装置:横向移动距离0~40mm;
8、仪器采用进口多圈电位器;
9、励磁电流采用六脚船型换向开关;
实验内容:
1、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线;
2、了解磁阻传感器的工作原理;
3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布;
4、观察磁阻元件的倍频效应。

重量约10kg左右

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