母合金
半导体拉晶的重要掺杂元素

产品特点
进口12N电子极原生多晶硅，配掺高纯度硼粉（7N）级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。

母合金掺杂计算方法
电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，的杂质浓度为C母，应掺重量为M
应掺重量为M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数。

参数
■ 硅单晶P型10的-3次方
■ 电阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

■ 硅单晶P型10的-3次方
■ 电阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
3.04E+19 <5E+16 <1E+18

■ 硅单晶N型10的-3次方
■ 电阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 杂质含量指标
磷含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18