IGBT模块静态参数测试仪
IGBT模块静态参数测试仪
IGBT模块静态参数测试仪

HUSTEC-1600A-MTIGBT模块静态参数测试仪

参考价: 订货量:
1 1

具体成交价以合同协议为准
2024-05-13 11:20:14
34
属性:
产地:国产;设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm;质量:30kg;海拔高度:海拔不超过 1000m;储存环境:-20℃~50℃;工作环境:15℃~40℃;相对湿度:20%RH ~ 85%RH;大气压力:86Kpa~ 106Kpa;防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;用电要求:AC220V,±10%;电网频率:50Hz±1Hz;
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产品属性
产地
国产
设备尺寸
500(宽)x 450(深)x 250(高)mm
质量
30kg
海拔高度
海拔不超过 1000m
储存环境
-20℃~50℃
工作环境
15℃~40℃
相对湿度
20%RH ~ 85%RH
大气压力
86Kpa~ 106Kpa
防护
无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害
用电要求
AC220V,±10%
电网频率
50Hz±1Hz
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深圳市华科智源科技有限公司

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产品简介

华科智源IGBT静态参数测试系统,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。

详细介绍

HUSTEC华科智源 

HUSTEC-1600A-MT

                  IGBT模块静态参数测试仪




一:IGBT模块静态参数测试仪主要特点

华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;


IGBT模块静态参数测试仪测试参数:

ICES  集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流 

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。


二:IGBT模块静态参数测试仪应用范围

AIGBT单管及模块,

B大功率场效应管(Mosfet

C:大功率二极管

D:标准低阻值电阻

E:轨道交通,风力发电,新能源汽车,变频器,焊机等行业筛选以及在线故障检测


三、IGBT模块静态参数测试仪特征

A:测量多种IGBTMOS

B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;

C:脉冲宽度 50uS~300uS

DVce测量精度2mV

EVce测量范围>10V    

F:电脑图形显示界面

G:智能保护被测量器件

H:上位机携带数据库功能

IMOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;


序号

测试项目

描述

测量范围

分辨率

精度

1

VF

二极管正向导通压降

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二极管正向导通电流

0~1200A

≤200A时,0.1A

≤200A时,±1%±0.1A

3

>200A时,1A

>200A时,±1%

4

Vces

集电极-发射极电压

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通态集电极电流

0~1200A

≤200A时,0.1A

≤200A时,±1%±0.1A

6

>200A时,1A

>200A时,±1%

7

Ices

集电极-发射极漏电流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

栅极-发射极阈值电压

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集电极-发射极饱和电压

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向栅极漏电流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向栅极漏电流

12

Vges

栅极发射极电压

0~40V

1mV

±1%,±1mV

 

华科智源IGBT模块静态参数测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统;自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作),计算机可以记录测试结果,测试结果可转化为文本格式存储,测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试),安全稳定(对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁),具有安全保护功能,测试速度方便快捷。





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