便携式igbt测试设备-华科智源

1. 物理规格

设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）cm；

质量：30kg

1. 环境要求

海拔高度：海拔不超过 1000m； 储存环境：-20℃～50℃；

工作环境：15℃～40℃。

相RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

大气压力：86Kpa～ 106对湿度：20%RH ~ 75%Kpa。

防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

1. 水电气

用电要求：AC220V，±10%； 电网频率：50Hz±1Hz
 

四、便携式igbt测试设备-华科智源基础能力

1. 测试电压范围：0-±5000V
2. 测试电流范围：0-±1600A
3. 测试栅极电压范围：0-±100V
4. 电压分辨率：0.1mV
5. 电流分辨率：0.1nA

五、测试种类及参数

1. 、Diode（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

1. 静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；

1. 、MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

1. 静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，VGS(th)/栅极开启电压，IDSS漏源极漏电流、VF/二极管正向压降；Rdson 内阻

1. 、IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）

静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅极漏电流