参数指标

1、便携式igbt静态测试仪-华科智源设备概述

1.1

设备数量

1套

1.2

设备功能

测试功率半导体器件静态参数

1.3

设备组成

设备包含硬件模块和软件模块两大部分

1.4

硬件模块

设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等

1.5

软件模块

设备软件部分应包括：

1.操作系统、备份、保存、编辑、上传等基本功能；

2.图形化操作界面；

3.输出EXCEL、word版测试报告

4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度

5.I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；

6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；

2、设备尺寸

2.1

设备总体长度

≤ 500mm

2.2

设备总体宽度

≤450mm

2.3

设备总体高度

≤300mm

3、技术指标

★

3.1

机台可测试器件类型

二极管、MOSFET、IGBT单管及模组

★

3.2

机台可测IGBT项目

及测试范围

VGE(th)栅极阈值电压

VCES集射极截止电压

ICES集射极截止电流

VCE(sat)饱和导通压降

Iges栅极漏电流

VF二极管导通电压

可以测5000V,2000A以下的IGBT模块

★

3.3

机台可测MOS项目

Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)

★

3.4

VGE(th)栅极阈值电压测量范围

0.1～10V分辨率：0.001V

3.5

VGE(th)

测试条件与精度

VGE：0.1～10V±1%±0.01V；

集电极电流Ic：

10～50mA±1%±0.5mA；

★

3.6

VCES集射极截止电压测量范围

0~5000V 分辨率0.1V

3.7

VCES

测试条件与精度

集电极电流ICES：

0.01～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

集电极电压VCES：

0-5000V±1%±2V；

★

3.8

ICES集射极截止电流测量范围

0.01～50mA 分辨率 0.001uA

3.9

ICES

测试条件与精度

集电极电压VCES：

50～500V±1%±1V；

500～5000V±1%±2V；

集电极电流ICES：

0.001～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

★

3.10

VCE(sat)饱和导通压降测量范围

0.001～10V 分辨率 1mV

3.11

VCE(sat)

测试条件与精度

集电极电压VCEs：

0.001～10V±0.5%±0.001V

栅极电压Vge：

5～40V±1%±0.01V

集电极电流ICE：0-1600A

0～100A±1%±1A；

100～1600A±1%±1A；

★

3.12

Iges栅极漏电流

测量范围

0.01～10μA 分辨率 0.1nA

3.13

Iges

测试条件与精度

栅极漏电流IGEs：

0.01～10μA±2%±0.005μA

栅极电压Vge：

±1Ｖ～100V±1%±0.1V；

Vce=0V；

★

3.14

VF正向特性测试

测量范围

0.1～10V 分辨率 0.001V

3.15

VF正向特性测试

测试条件与精度

二极管导通电压Vf：

0.1～10V±1%±0.01V

电流IF：

0～100A±2%±1A；

100～1600A±1%±2A；