日本SMC位置传感器ISA3-GCP-3LB-L2驱动方式

制造工艺：

二次光刻光敏区工艺。采用此技术，在次光刻

后去掉胶层，进行氧化层的生长，约为500 a左右

件下（0.32μm） 有大的分辩率。此时光电流大

，分辩率高。注入条件为：磷注入， 能量为

；然后进行次光刻，透过二氧化硅层进行光敏

区bf2 的离子注入。这有两个方面处，一是可有

光敏区内外电阻率比控工艺。影响高分辩率的因素

有结深、边界条件及有效光敏区内外电阻率之比等

效地保护光敏区的表面，保护二氧化硅和硅的界面

；二是利用其屏蔽作用制得满足器件要求的结深。

。对于同一种器件结构，光敏区在一个结深条

60kev , 剂量为4e15;硼注入， 能量60kev , 剂量为

1e13;光敏注入，能量为40kev ,剂量为4e13。

类型介绍：

它是利用检测平衡状态下浮子浮力的变化来进行位

置测量的。此外，它还可以配备微机，使其具有自

的衰减愈小，但是反射效率也小，所以需要根据距

离、物体表面状况等因素来选择声波传感器类型

检、自诊断和远传的功能，它的是测量位置的

通过向被测物体表面发射声波，被其反射后，传

感器接受，通过时间和声速来计算其到物体表面的

范围宽、精度高。它是一种非接触式位置的产品，

对于一些不宜接触测量的场合是的选择。它是

距离。声波有一个特性它的频率愈低，随着距离

。高性能产品能分别出哪些是信号波，哪些是噪声

，而且还可以在高温和大风的情况下检测液位。

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