EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。 参考价面议ENX-2020IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试设备
ENX2020IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。 参考价面议EN-30200大功率半导体器件静态参数测试系统
大功率半导体器件静态参数测试系统适合工厂、研究所用做半导体器件及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对大功率器件各种静态参数而研制的智能测试系统。 参考价面议西安厂家EN-3020C IGBT静态全参数测试系统
EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数:其测试范围如下:功率器件IGBT,MOS测试综合图示系统
功率器件IGBT,MOS测试综合图示系统测试范围EN-J电源、变频器、逆变器来料筛选测试仪
电源、变频器、逆变器来料筛选测试仪EN-2005-B院所高校、器件生产厂商功率器件测试仪
院所高校、器件生产厂商功率器件测试仪应用领域西安EN-2005B功率器件综合测试系统
测试范围广(19总大类,27分类)ENG1220IGBT功率循环测试系统
该套测试设备主要可测试以下参数:ENL3010二极管可控硅浪涌测试系统
ENL3010 浪涌测试系统 ,设备可输出17.7mS、80kA的电流,对被测器件进行浪涌电流试验;ENX2020雪崩耐量测试系统
ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。 参考价面议