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公司简介：

我们的光刻胶、溶剂、蚀刻化学品、晶圆和电镀电解液的产品范围外，我们努力在我们的支持下，作为我们产品的用户，使您在洁净室中的工作尽可能高效，我们的集装箱尺寸。

microchemicals蚀刻剂主要产品：

microchemicals蚀刻剂

microchemicals光刻胶

microchemicals蚀刻剂产品型号：

TiW etch 200

TechniEtch™CN10

microchemicals蚀刻剂产品特点：

清漆：商业酚醛清漆作为遮蔽清漆（例如 AZ ®光致抗蚀剂）

金属：蚀金、铬、镍；铜

半导体材料：Si、SiO2、Si3N4

低底切（在层厚范围内），结构分辨率低于1μm

对许多材料具有选择性，包括电镀金属

与油漆掩模兼容

microchemicals蚀刻剂产品应用：

microchemicals蚀刻剂TiW etch 200是一种钛钨蚀刻剂，用于钛钨合金层的湿化学结构化，对金、铂、镍、铬等金属具有选择性。常见的应用领域可以在半导体和微系统技术的粘合层结构中找到。铜镍蚀刻液，坚硬和耐腐蚀的金属，在显微结构中经常被用作基体和成长的金属层之间的厚度层。作为硅基底和铝基底之间的分水岭，它是阻止硅在 Alzur 中渗透的屏障。铝尖峰是指铝从中分离出来的硅回到空气中，由此产生的短路。

microchemicals蚀刻剂TechniEtch™CN10是一种由硝酸和磷酸组成的铜和镍蚀刻溶液。25° C 时的蚀刻速率约为每分钟 0.3-0.4 µm。我们建议在 8-16% (30%) 的存在下执行蚀刻过程。如果不添加过氧化氢，蚀刻速率会显着降低且不均匀。microchemicals蚀刻剂蚀刻速率取决于钛沉积工艺和所得的晶体结构。正电阻、负电阻和反转电阻，在正性抗蚀剂的情况下，曝光区域由于在那里形成茚羧酸而变得可溶于显影剂。由于正性抗蚀剂不会交联，超过其软化点（约 100-130°C）会导致抗蚀剂轮廓变圆。

microchemicals蚀刻剂AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT等负性抗蚀剂通过后续烘烤步骤（对于AZ ® 125nXT则不需要）在曝光区域中交联，并保留在曝光区域中。显影后的基材。microchemicals蚀刻剂室温下铜的蚀刻速率通常约为 3 至 3.5 μm/min。只有添加氨来稳定 pH 值，蚀刻溶液才能连续运行（氨会随着时间的推移而逸出，具体取决于循环条件）。如果不进行跟踪，蚀刻液会提前耗尽。铜产量为 30 至 50 克/升。microchemicals蚀刻剂建议迟在蚀刻速率降低20%或蚀刻时间延长不符合规范时丢弃该溶液。

microchemicals蚀刻剂Cu etch 200 UBM是一种中性（弱碱性）铜蚀刻剂，用于湿式化学去除铜层，作为电镀开始，对 Ni、Au、Cr、Sn、Ti 等金属具有选择性。适用于半导体和微系统技术，例如，在电镀铜后去除起始层以进行凸块下金属化 (UBM) 时。40°C 时的蚀刻速率通常为 10 至 15 nm/min，RT 时的蚀刻速率相应较低。在室温下，约 180 秒即可结构化/去除 30 纳米厚的铬层。microchemicals蚀刻剂蚀刻液稳定，可根据要求多次使用。蚀刻混合物集中于Ti、TiW和TiN与Cu凸块柱的连接，以自行混合。microchemicals蚀刻剂TechniEtch™ TBR19 浓缩物与大多数凸块下金属化 (UBM) 和铜柱集成材料兼容，例如铜、铝、镍、玻璃、有机基板和许多塑料，例如聚丙烯、HDPE、PFA、Kalrez PTFE、PEEK 和 PE。50℃时的蚀刻速率约为1000A/min。microchemicals蚀刻剂在高温下，也能防止油漆轮廓变圆。然而，在高工艺温度下，热交程度会增加到湿化学剥离变得困难。