ST-SP 2000半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数
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半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数
| 品牌 : | 天光测控 | 型号 : | ST-SP 2000 |
| 加工定制 : | 是 | 类型 : | 分立器件测试仪 |
| 测量范围 : | 电压2000V，电流100A | 精确度 : | 正负%0.1精度 |
| 仪表尺寸 : | 200*100*80mm | 适用范围 : | 分立器件测试仪 |
| 仪表重量 : | 5kg | 工作电源 : | 220v |
| 规格 : | 半导体参数测试仪 |
产品详情
Product details
1． 系统配置简介
1.1 系统概述
天光测控ST-SP 2000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的半导体测试设备。
半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数
本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
1.2 天光测控ST-SP 2000测试仪指标
技术指标 | |||||
主极参数 | 控制极参数 | ||||
指标 | 标配 | 指标 | 标配 | ||
主极电压: | 1mV-2000V | 控制极电压： | 100mV-20V | ||
电压分辨率： | 1mV | 电压分辨率： | 1mV | ||
主极电流： | 0.1nA-100A | 可扩展1250A | 控制极电流： | 100nA-10A | |
电流分辨率： | 0.1nA | ||||
测试精度： | 0.2+2LSB | ||||
测试速度： | 0.5mS/参数 | ||||
1.3 天光测控ST-SP 2000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统，它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
测试范围 / 测试参数 | |||
序号 | 测试器件 | 测试参数 | |
01 | 绝缘栅双*功率晶体管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS | |
02 | MOS场效应管 MOS-FET | IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS | |
03 | J型场效应管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF | |
04 | 二极管 DIODE | IR；BVR ；VF | |
05 | 晶体管 （NPN型/PNP型） | ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF | |
06 | 双向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- | |
07 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH | |
08 | 硅触发可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- | |
09 | 达林顿阵列 DARLINTON | ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON | |
10 | 光电耦合 OPTO-COUPLER | ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) | |
11 | 继电器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME | |
12 | 稳压、齐纳二极管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ | |
13 | 三端稳压器 REGULATOR | Vout；Iin； | |
14 | 光电开关 OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF | |
15 | 光电逻辑 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF | |
16 | 金属氧化物压变电阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； | |
17 | 固态过压保护器 SSOVP | ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- | |
18 | 压变电阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- | |
19 | 双向触发二极管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, | |
1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
