MDPpro 850+

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

特点 ：        

◇ 寿命范围：20 ns至100 ms（样品电阻率 > 0.3 Ohm cm）   

◇  SEMI标准：PV9-1110        

◇  测试速度：线扫描 < 30 s；完整的面扫秒 < 5 min        

◇  同时测量：寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率

◇  自动几何形状识别： G12、M10晶砖和晶圆片        

应用 :   

◇  寿命 & 电阻率面扫描        

◇  晶体生长监控（即滑移线）        

◇  污染监测

◇  氧条纹/OSF环       

◇  P 型掺杂硅的铁面扫描图

◇  发射极层的方阻        

◇  更多…

技术规格 :   

直拉硅单晶硅锭中的滑移线

含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量

MDP studio -  操作和评估软件 ：

用户友好且的操作软件具有：

◇  导入和导出功能

◇  带有操作员的用户结构

◇  所有执行的测量概览

◇  样品参数输出

◇  单点测量（例如：注入浓度相关的测量）

◇  面扫描

◇  测试配方

◇  分析功能包

◇  线扫描和单点瞬态视图

配置选项：

◇  光斑尺寸变化

◇  电阻率测量（晶砖和晶圆片）

◇  背景/偏置光

◇  反射测量（MDP）

◇  LBIC

◇  P型掺杂硅中的铁图谱

◇  p/n检测

◇  条码读取器

◇  自动几何识别

◇  宽的激光器波长范围

MDPpro850+  应用 ：        

铁浓度测定

铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的

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掺杂样品的光电导率测量

B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……

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陷阱浓度测定

陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

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注入相关测量

少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。

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远程访问基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持

多晶硅晶圆线扫描HJT晶圆的寿命测量