铝合金电阻测试仪电阻测量范围： 
1、电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

电   阻：1×10-5～2×105Ω

电导率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
测量误差±5%
2、测量电压量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
   测量精度±（0.1%读数）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。
   ⑵量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 
   ⑶误差：±0.2%读数±2字

4. 主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm

5、显示方式：液晶显示6、电源：220±10% 50HZ/60HZ

7、标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。

广泛用于：覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等

按照硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.

四端测试法是目前较*之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

为测定表面电阻率，试样的形状不限，只要允许使用第三电极来抵消体积效应引起的误差即可。推荐使用图2及图3所示的三电极装置。用电极1作为被保护电极，电极3作为保护电极，电极2作为不 保护电极。可直接测量电极1和2之间表面间隙的电阻。这样测得的电阻包括了电极1和2之间的表面电阻和这两个电极间的体积电阻。然而，对于很宽范围的环境条件和材料性能，当电极尺寸合适时， 体积电阻的影响可忽略不计。为此，对于图2和图3所示的装置，电极的间隙宽度g至少应为试样厚度 的2倍，一般说来，1mm为切实可行的 小间隙。被保护电极尺寸d1（或长度l1）应至少为试样厚度h 的10倍，通常至少为25mm。

也可以使用条形电极或具有合适尺寸的其他装置。

注：由于通过试样内层的电流的影响，表面电阻率的计算值与试样和电极的尺寸有很大的关系，因此，为了测定时可进行比较，推荐使用与图2所示的电极装置的尺寸相一致的试样，其中d1= 50 mm, d2 = 60 mm, ds = 80 mm,

化导致的电流变化与被测电流相比可忽略不计。

加到整个试样上的试验电压通常规定为100V、250V、500V、1000 V、2500 V、5000 V, 10000 V 和15000 V。 常用的电压是100V、500V和1000 V。

在某些情况下，试样的电阻与施加电压的极性有关

如果电阻是与极性有关的，则宜加以注明。取两次电阻值的几何平均值（对数算术平均值的反对 数）作为结果。

由于试样电阻可能与电压有依存关系，因此应在报告中注明试验电压值。

四端测试法是目前较*之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

铝合金电阻测试仪源

要求有很稳定的直流电压源。这可用蓄电油或一个整流稳压的电摞来提供。对电源的稳定度要求 是由电压变表面电阻率

配套方案：解决各材料状态 --固态、液态、气态、颗粒状 电阻、电阻率、电导率测量。