三靶射频磁控溅射镀膜仪
三靶射频磁控溅射镀膜仪配有磁控等离子溅射头和射频(RF)等离子电源,此款设备主要用于制作非导电薄膜,特别是一些氧化物薄膜。 参考价¥16等离子磁控溅射镀膜仪系列
等离子磁控溅射镀膜仪系列仪器中安装有直径为50mm的不锈钢可旋转样品台,其与溅射头之间距离可调 参考价¥121200℃小型井式炉(9L)系列
1200℃小型井式炉(9L)系列 加热元件:掺钼铁铬铝(表面涂有氧化锆涂层,可以*程度延长使用寿命); 参考价¥121650℃布里奇曼单晶生长炉系列
1650℃布里奇曼单晶生长炉系列此设备适合于生长各种金属,氧化物等晶体,也和作为多晶棒定向凝固使用。 参考价¥15高温高压镍基合金水热反应釜 65/100ml系列
高温高压镍基合金水热反应釜 65/100ml系列铝制散热器安装于壳体上,托住炉管,并带有风冷系统,可有效降低法兰温度 参考价¥10混合式小型晶体生长炉系列
混合式小型晶体生长炉系列是一款小型晶体生长炉,适用于提拉法或布里奇曼法生长单晶,其zui高温度可达1100℃。 参考价¥13三温区顶部籽晶助溶剂法单晶生长炉系列
三温区顶部籽晶助溶剂法单晶生长炉系列温控系统可设置28段温度程序段,控温精度±1℃和精密旋转提拉机构,其提拉速度为0.8-50mm/hour. 参考价¥181600℃ TSSG法晶体生长炉系列
1600℃ TSSG法晶体生长炉系列采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以MoSi2为加热元件,其腔体尺寸为φ330mm×250mm(H),zui高温度可达1700℃。 参考价¥144电弧提拉法单晶生长炉系列
4电弧提拉法单晶生长炉系列真空度可达10-5Torr.此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶,如Ti单晶,YSZ,SiC和CeRh2Si等等。 参考价¥111700℃小型单晶生长炉系列
1700℃小型单晶生长炉系列是一款小型提拉法单晶生长炉,其zui高温度可达1700℃。可用于生长GGG,YAG,LaALO3等各种单晶,用于材料的基础研究。 参考价¥10SKJ-VE2000火焰法单晶生长炉系列
SKJ-VE2000火焰法单晶生长炉系列是一款小型火焰法单晶生长炉,其温度可以高达2000℃。 参考价¥12SKJ-LCZ悬浮提拉晶体生长炉系列
SKJ-LCZ悬浮提拉晶体生长炉系列悬浮熔炼避免了坩埚的污染,可得到高纯度的金属(合金)单晶。 参考价¥12