HG-EM多入射角激光椭偏仪
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HG-EM多入射角激光椭偏仪是针对光伏太阳能电池**研发和质量控制领域推出的**型多入射角激光椭偏仪。可广泛应用于晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。
HG-EM多入射角激光椭偏仪用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜镀层的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。典型纳米膜层包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。
HG-EM激光椭偏仪融合多项科技专li技术，采用一体化样品台技术，兼容测量单晶和多晶太阳电池样品，并实现二者的轻松转换。一键式多线程操作软件，使得仪器操作简单安全。
特点：
· 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量
· 原子层量级的*灵敏度和准确度
· 百毫秒量级的快速测量
· 简单方便安全的仪器操作
· 一键式操作
技术指标：
项目 | 技术指标 |
仪器型号 | HG-EM激光椭偏仪 |
激光波长 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜层厚度精度（1） | 0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
0.03nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) | |
折射率精度（1） | 1x10-4 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
3x10-4(对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层) | |
单次测量时间 | 与测量设置相关，典型0.6s |
结构 | PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有*的准确度） |
激光光束直径 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手动调节，步进5° |
样品方位调整 | 一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品； |
可测量156*156mm电池样品上每个点 | |
Z轴高度调节：±6.5mm | |
二维俯仰调节：±4° | |
样品对准：光学自准直显微和望远对准系统 | |
样品台尺寸 | 平面样品直径可达Φ170mm |
兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品 | |
**的膜层测量范围 | 粗糙表面样品：与绒面物理结构及材料性质相关 |
光滑平面样品：透明薄膜可达4000nm，吸收薄膜与材料性质相关 |
