日本2ω法纳米薄膜导热仪TCN-2ω

该装置是目前世界上唯yi使用2ω法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用装置。与其他方法相比，样品制作和测量更容易。

用

• 量化低K绝缘膜的热阻，用于半导体器件的热设计

• 绝缘膜的开发与散热的改善

• 热电薄膜应用评价

特征

• 可以测量在厚度方向上形成在基板上的 20 到 1000 nm 的薄膜的热导率。

• 使用热反射法通过温度幅度检测实现测量

• 测量样品的简单预处理

规格

测量原理

论文“绝热边界条件下2ω法评估薄板样品的热导率”

当以 f/Hz 的频率加热金属薄膜时，加热量以 2 f/Hz 的频率变化。
金属薄膜(0)-薄膜(1)-衬底(s)三层体系中金属薄膜表面的温度变化T(0)在热扩散条件下是一维的充分通过金属薄膜/薄膜，下面的公式用于表示传热模型的解析解。

(Λ: 导热系数 W m ^-1 K ^-1 , C: 体积比热容 JK ^-1 m ^-3 , q: 每体积热量 W m ^-3 , d: 厚度 m, ω: 角频率 (= 2πf) / 秒^-1 )

由于实数解（同相幅度）包含薄膜的信息，因此在相同条件下在不同频率下进行测量时，同相幅度与（2ω）^-0.5成正比。
薄膜的热导率λ ₁由下式获得。
（M：斜率，n：截距）

TCN-2ω示意图

TCN-2ω对SiO ₂薄膜的测量结果

薄膜的评价

测量样品