1. 设备用途

本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理，以便获得高致密度的产品，例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等。

2. 方案图

（图片仅供参考）

3. 主要技术参数

3.1 电源：三相 380V 50Hz

3.2 额定加热功率：≤18Kw 单相相加热

3.3 最高温度：1900℃ 使用温度室温-1850℃

3.4 工作区尺寸：100*100*100（D*H，mm）

3.5 控温区数：一区

3.6 控温方式：钨铼热电偶

3.7 控温精度：±1℃

3.8 冷态极限真空度：6.67*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）

3.9 压升率：4Pa/h

3.10 充气气氛：惰性气体

3.11 充气压力（微正压）：≤0.03MPa

3.12 最大压力：5T（数显、自动调压、自动保压、伺服电动缸）

3.13 压头直径：Ф40 mm

3.14 压力波动：≤±100N，位移精度≥0.01mm

3.15 压力行程：0～100mm（数显）

3.16 压力控制：伺服电动控制（伺服电机控制）

4. 设备构成

5. 结构及功能说