AO3401A 30 v p沟道MOSFET

AO3401AAO3401A 30 v p沟道MOSFET

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-03-21 11:43:23
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

AO3401A应用说明:AO3401A30vp沟道MOSFET,AO3401A使用*的海沟技术提供优秀的RDS(上),低闸极电荷和操作电压2.5v

详细介绍

  • AO3401A应用说明:

    AO3401A 30 v p沟道MOSFET,AO3401A使用*的海沟技术提供优秀的RDS(上),低闸极电荷和操作电压2.5 v。本设备适用于使用作为负荷开关或其他通用应用程序。


    AO3401A产品目录:

     VDS -30V

     ID (at VGS=-10V) -4.0A

     RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ

     RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ

     RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ


    AO3401A产品封装:SOT23


    AO3401A特性说明:

          电特性(TJ = 25°C除非另有注明)

      a . RθJA的价值衡量与设备安装在1 in2

      FR-4板2盎司。在静止空气环境中铜、TA = 25°C。的

      价值在任何给定的应用程序依赖于用户的特定板设计。

      b .功耗PD基于TJ (MAX) = 150°C,使用≤10 s junction-to-ambient热阻。

      C .重复的评级,脉冲宽度限制结温TJ (MAX) = 150°C。评级是基于低频率和占空比

      initialTJ = 25°C。

      d . RθJA热阻抗之和从结RθJL并导致环境。

      e .图1到6的静态特征获得使用< 300µs脉冲,工作周期0.5% max。

      f .这些曲线是基于junction-to-ambient热阻抗测量的设备安装在1 in2

      FR-4板与2盎司。铜、假设的结温TJ (MAX) = 150°C。SOA曲线提供了一种单脉冲ratin g。


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