AONR21117-20V P沟道MOSFET-DFN 3x3 EP规格书

AONR21117AONR21117-20V P沟道MOSFET-DFN 3x3 EP规格书

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-02-20 16:45:24
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

一般说明：•的沟槽技术-20V•低RDS（ON）•高电流能力•符合RoHS和无卤素标准应用领域：•负荷开关应用•电池保护应用产品概要：VDSID（在VGS=-4.5V时）-34ARDS（开启）（在VGS=-4.5V时）RDS（开启）（在VGS=-2.5V时）经过100％UIS测试

详细介绍

  • 一般说明：


      •的沟槽技术-20V


      •低RDS（ON）


      •高电流能力


      •符合RoHS和无卤素标准




    应用领域：


       •负荷开关应用


       •电池保护应用




    产品概要：


       VDS


       ID（在VGS = -4.5V时）-34A


       RDS（开启）（在VGS = -4.5V时）<4.8mΩ


       RDS（开启）（在VGS = -2.5V时）<7.2mΩ


    经过100％UIS测试，已通过100％汞测试


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