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设备用途:
该设备用于制备多组份、多层复合的致密的金属/非金属、金属氧化物/氮化物/氮氧化合物、非金属氧化物/氮化物/氮氧化合物等厚度均匀的薄膜材料,其中靶材可为金属/非金属的单组份或多组份材料(包含磁性靶材材料),也可为金属/非金属化合物的单组份或多组份材料。样品能够在该设备系统真空室内的薄膜沉积处原位退火处理。此外,采用磁控溅射镀膜后的样品可以进行硒化、硫化处理。
可应用于材料学、物理学、化学、微电子、光电子、能源、催化、纳米技术等领域。
技术规格:
本系统由进样室、硫化/硒化室、两个溅射室(3靶位+4靶位)、溅射控制系统、加热系统、真空测量系统、泵抽系统、样品传输控制系统、气氛控制系统、水循环制冷系统、完成样品制备过程电控系统及电脑/触摸屏程序控制系统等组成;
系统配置可在真空环境条件下移动样品的机械手臂,实现样品在腔体之间的移动,样品在腔室之间传递动作完成后15分钟内相关腔室真空度恢复到样品传递之前的水平;
两溅射室可分别实现3靶位和4靶位的靶材共溅射,相互之间电源等系统无相互干扰,各靶材单独溅射不受其他靶材的影响,且不污染其它靶材;
系统具有完善的自动保护功能,其中硒化/硫化炉的抽气入口具有防蒸汽侵蚀保护措施;
各室结构材料均采用优质不锈钢材料,氩弧焊接和表面抛光处理。