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FZ800R12KE3INFINON英飞凌IGBT模块FZ800R33KF2C
规格
产品属性属性值
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:N
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:3300 V
集电极—射极饱和电压:3.4 V
在25 C的连续集电极电流:1300 A
栅极—射极漏泄电流: 参考价￥5900 -
FZ900R12KE4INFINON英飞凌IGBT模块FZ900R12KE3 /KE4
规格
产品属性属性值
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品:IGBT Silicon Modules
集电极—发射极电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.1 V
在25 C的连续集电极电流:900 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:4300 W
工作温度:- 4 参考价￥760 -
FF600R17ME3INFINON英飞凌IGBT电源模块FF600R17ME4/ME3
制造商编号：FF600R17ME4
制造商： Infineon Technologies
说明：IGBT 模块 IGBT 1700V 600A
单位重量: 345 g
工厂包装数：10块/盒
功率耗散:4050 W 参考价￥1450 -
英飞凌FF600R12ME4INFINEON英飞凌IGBT模块FF600R12ME3/ME4
制造商编号：FF600R12ME4
制造商： Infineon Technologies
说明：IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
单位重量: 345 g
工厂包装数：10块/盒
功率耗散:4050 W 参考价面议