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MUR1660CT超快恢复二极管
超快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 参考价￥27.96 -
KBP210，KBP310，KBP410顺烨电子整流桥二极管KBP系列
顺烨电子整流桥二极管KBP系列：在半波整流器中，只核准输出交换信号的1个半周期，而阻断输出交换信号的剩余半周期。后果，切实其实1半的利用顺序输出功率被俭约了。然则，在桥式整流器KBP210电路中，在输出交换信号的正半周期和负半周期期间都核准电流。以是输出直流功率切实其实便是输出交换功率。 参考价￥200 -
MUR1560P封装二极管_桥式整流桥_工作原理_顺烨电子
整流二极管（rectifier diode）一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压 参考价面议 -
DB151S-DB157S贴片整流桥-贴片二极管型号--广东顺烨电子
整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构。 参考价面议 -
ABS2-ABS10电子元器件-整流桥二极管型号作用_顺烨电子
整流桥二极管在非专业条件下批量生产电子产品时，通常是手动安装组件和焊接操作。需要机械固定的部件应先组装，相对耐热的部件应先焊接，如连接器、小型变压器、电阻器、电容器等；然后组装和焊接怕热的部件，如各种半导体器件和塑料封装部件。 参考价面议 -
1N4001到1N4007整流二极管-1N4001~1N4007
导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。 参考价面议 -
1.5KE6.8(C)A到440(C)A瞬态电压抑制二极管-1.5KE6.8(C)A-440(C)A
在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，通过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的大箝位电压以下。随后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极电压也在下降，终恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程 参考价面议 -
SY2301BI到A1SHBmos管-SY2301BI-A1SHB
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或金属-绝缘体(insulator)-半导体。另一种晶体管，称为场效应管，将输入电压的变化转化为输出电流的变化。 参考价￥44.08 -
SS54L到SS510L肖特基-贴片-二极管-SS54L
肖特基-贴片-二极管-SS54L，肖特基二极管-是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 参考价￥26.38 -
DO-41.A-405.DO35.LL-34触发二极管
双向触发二极管（diodeACswitch）简称DIAC，其结构、符号及特性曲线如图1所示。由结构图中可以看出DIAC相当于两个反方向并联的萧克莱二极管连接而成的五层二极管。顾名思义，它是一种双方向皆可导通的二极管，亦即不论外加电压极性，只要外加电压大于触电压VBO就可导通。一旦导通，要使它恢复断流，只有将电源切断或使其电流、电压降至保持电流，保持电压以下。 参考价面议 -
DO-35.DO-34.LL-35.LL-34开关二极管
开关二极管的工作原理和应用知识，手机、电视、冰箱都是日常生活中非常常见的物品，也是人们日常生活中必*东西，使用智能电器给生活带来的方便，开关二极管功不可没。无论是在家用洗衣机、智能冰箱、空调等生活电器设备上，都能找到开关二极管、mos管。前面小编讲了两个月的电容，今天小编就介绍一下开关二极管的原理。 参考价面议 -
DO-41.DO-15.DO-201AE.R-6瞬态抑制二极管
在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS 的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR 时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM 上升到击穿电压VBR，TVS 被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS 的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的瞬态抑制二极管箝位电压以下。 参考价面议