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高低温冲击试验机产品型号
型号 | DR-H203-100 | DR-H203-150 | DR-H203-225 | DR-H203-500 | DR-H203-800 | DR-H203-1000 |
内箱尺寸(WxHxD)mm | 400x500x500 | 500x600x500 | 500x750x600 | 700x800x900 | 1000x1000x800 | 1000x1000x1000 |
温度范围 | G:-20℃ ~ +100℃(150℃);Z:-40℃ ~ +100℃(150℃);D:-70℃ ~ +100℃(150℃) | |||||
结构 | 三箱式(低温区、高温区、测试区) / 两箱式(低温区、高温区、吊篮) | |||||
气门装置 | 强制的空气装置气门 / 吊篮 | |||||
内箱材质 | 镜面不锈钢 SUS 304 | |||||
外箱材质 | 雾面拉丝不锈钢板 / 冷轧钢板烤漆 | |||||
测试架 | 不锈钢架 | |||||
冷冻系统 | 二段式 | |||||
冷却方式 | 半密闭式双段压缩机(水冷式)/全封闭式双段压缩机(风冷式) | |||||
高温区温度 | +60 ℃~ +200 ℃ | |||||
低温区温度 | -10 ℃~ -80 ℃ /-10 ℃~ -70 ℃ | |||||
高温冲击温度范围 | +60 ℃~ +150℃ | |||||
低温冲击温度范围 | -10 ℃~ -55 ℃ /-10 ℃~ -65 ℃ | |||||
温度均匀度 | ± 2 ℃ | |||||
温度波动度 | ± 1.0 ℃ | |||||
高温冲击时间 | Rt ~ +150 ℃ /5min | |||||
低温冲击时间 | Rt ~ -55 ℃ /5min Rt ~ -65 ℃ /5min | |||||
预热时间 | 45min | |||||
预冷时间 | 100min |
温度控制与范围:温度冷热冲击试验箱能够精确控制高低温度的范围,通常低温可达-70℃,高温可达+150℃或更高。
快速温度变化:设备能够在极短的时间内(通常几秒到几分钟)完成温度的转换,模拟真实的温度冲击环境。
温度波动度与均匀性:温度波动度通常要求控制在±0.5℃以内,温度均匀度在±2℃以内,确保试验箱内各个位置的样品都能经历相似的温度冲击条件。
安全保护:具备过温、过载、短路等多重安全保护措施,确保试验过程的安全性。
数据记录与分析:现代冷热冲击试验箱通常配备有数据记录系统,可以实时记录试验数据,便于后续分析。
控制系统:控制器采用的可编程触摸液晶显示屏,具有PID参数自整定功能,能够自动进行详细的故障显示和报警。
结构特性:内箱材质通常采用1.2mm SUS#304不锈钢,外箱材质采用1.2mm冷轧钢板,表面喷漆处理,保温层采用高强度PU发泡与高密度防火玻璃纤维棉(厚度100mm)。
温度冲击范围与恢复时间:温度冲击范围可从-30℃至150℃,温度恢复时间通常在5分钟以内。
切换时间:两箱式试验箱的样品转移时间通常小于10秒,三箱式试验箱则通过控制气体流动来完成温度冲击,切换时间快速。
噪音控制:设备运行时的噪音控制在65db以内。
耐用性和可靠性:设备采用高强度、高可靠性的结构设计,确保了设备的高可靠性和使用寿命。
环保型制冷剂:使用环保型制冷剂,确保设备更加符合环境保护要求。
三箱结构冷热冲击试验机的测试标准主要包括以下几项:
GB/T2423.1-2008试验A低温试验方法:规定了电工电子产品在低温条件下的试验方法,适用于评估产品在低温环境下的性能和可靠性。
GB/T2423.2-2008试验B高温试验方法:规定了电工电子产品在高温条件下的试验方法,用于测试产品在高温环境下的稳定性和耐久性。
GB/T10592-2008高低温箱技术条件:涉及高低温试验箱的技术条件,包括设备的性能要求和测试方法。
GJB150.3-1986JUN用设备环境试验方法:高温试验:JUN用标准,规定了JUN用设备在高温条件下的试验方法。
GJB360A-96方法107温度冲击试验的要求:JUN用标准,涉及温度冲击试验的具体要求和方法。
IEC60068-2-14基本环境试验规范第2部分试验N温度变化:国际电工委员会标准,规定了在特定时间内快速温度变化试验的方法,包括温度转换时间、保持时间和极限值等参数。
ISO16750-4:涉及汽车电子设备在冷热冲击环境下的试验条件和方法。
在芯片半导体行业冷热冲击试验箱是一项至关重要的设备,用于测试半导体器件和芯片在恶劣温度变化下的可靠性与耐用性。半导体材料和集成电路通常在复杂的环境中使用,温度波动可能会影响其性能,甚至导致故障。因此,冷热冲击试验成为半导体行业品质控制、产品验证及可靠性测试中的一个关键步骤。
半导体芯片和器件如集成电路(IC)、微处理器(MPU)、存储器芯片等,通常需要在不同的工作温度下稳定运行。冷热冲击试验箱能够模拟快速的温度变化,测试这些器件在高温与低温交替的环境中是否会出现损坏、性能衰减或失效。
在高性能芯片(如高频通信芯片、汽车电子芯片等)中,温差对芯片的影响尤为显著。如果芯片或器件在经历恶劣冷热变化后出现开裂、焊接失效或功能障碍,就可能导致整个系统的故障。因此,冷热冲击试验帮助研发人员评估芯片的长期可靠性。
PCB是连接芯片的载体,其热膨胀系数与芯片材料的差异可能会导致热应力。在冷热冲击测试中,快速的温度变化可能导致PCB与芯片的连接处发生破裂或焊点脱落。
另外,半导体封装也是冷热冲击试验的重要测试对象。半导体封装通常采用塑料封装、陶瓷封装或其他复合材料封装,这些封装材料的热膨胀系数不同,可能导致芯片与封装之间的热应力。因此,通过冷热冲击测试,可以评估封装在恶劣环境下的稳定性。
传感器、LED及其他小型半导体元器件,往往被应用于恶劣环境下,如汽车、航空航天等领域。这些元件的稳定性直接影响到系统的整体性能。通过冷热冲击试验,可以验证这些器件是否能够在高温和低温交替变化下继续正常工作。
冷热冲击试验箱的核心功能是模拟芯片和半导体器件在快速升温和急剧降温环境下的表现。常见的试验程序包括高温(如150℃)和低温(如-65℃)之间的快速转换,以确保测试结果能覆盖实际使用环境中的温差情况。
半导体器件可能会在开关电源、电池管理、自动驾驶、消费电子等领域遭遇较为剧烈的温度波动,冷热冲击试验箱可以快速模拟这种环境,确保产品的耐用性。
一般来说,冷热冲击试验箱的温度范围通常为**-70℃至+150℃**,适用于大部分半导体器件的测试需求。部分高中端试验箱甚至可以达到**-100℃至+200℃**的温度范围,满足更加恶劣的测试需求。
半导体行业对温度变化的精度要求非常高,冷热冲击试验箱配备了高精度的温控系统,能够在短时间内精确达到设定温度,并确保温度变化均匀、稳定。温控系统一般包括高效的加热器、冷却系统和的温度传感器,确保设备能够精准模拟实际环境。
热冷冲击测试一般包含多个周期,每个周期包括温度迅速升高至高温,然后迅速降至低温,以此反复进行。试验箱能够快速进行多个温度循环(例如,10-50次循环),确保测试结果的准确性和重复性。
同时,设备一般会配备过载保护和故障报警系统,保障设备长期稳定运行,避免故障发生。
通过冷热冲击试验,可以验证半导体芯片、器件和其他相关产品在实际使用过程中能够承受的环境变化。例如,芯片在经历冷热冲击后,如果仍然能够正常工作,说明其具备较高的可靠性。
在汽车电子、航空航天、通信等行业,芯片的可靠性是非常关键的,冷热冲击试验有助于评估其是否满足这些高标准的需求。
半导体器件在经历温度波动时,会因热膨胀系数不同而产生内部应力,可能导致焊点脱落、封装裂缝或晶体管损坏等故障。冷热冲击试验能够帮助工程师发现这些潜在的问题并采取相应的设计优化措施。
半导体产品在高技术领域中竞争激烈,任何可能影响性能和稳定性的因素都会导致市场的下降。通过严格的冷热冲击测试,厂商可以确保其产品的质量和可靠性,从而提高产品在市场中的竞争力。
许多半导体器件需要满足国际标准和认证,如JEDEC标准、AEC-Q100(汽车电子质量认证标准)等。冷热冲击试验能够验证产品是否符合这些行业标准,为产品的市场准入提供保障。
通过冷热冲击测试合格的半导体产品更具可靠性和稳定性,能够增加消费者和合作伙伴的信任,从而促进销量的提升和品牌的长期发展。
在芯片半导体行业冷热冲击试验箱发挥着至关重要的作用,它不仅帮助测试半导体器件和集成电路的热稳定性,还确保这些器件在恶劣温差下能够继续稳定工作。通过冷热冲击测试,工程师能够识别并解决可能导致产品失效的温差引起的热应力问题,从而提高产品的可靠性与质量。对于汽车电子、通信、消费电子等高中端应用领域的半导体产品,冷热冲击试验是确保其长期稳定运行和满足严格使用环境要求的重要手段。