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NP1216DR-G
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12V P沟道增强型MOSFET描述NP1216DR采用*的trench技术提供出色的RDS(上)一般特征、低栅极电荷和以低至1.8V的栅极电压工作。这器件适合用作负载开关或用于PWM应用程序。 VDS =-12V,IDR =-16ADS(开)(典型值。)= 18mω@ VGSR =-2.5VDS(开)(典型值。)= 13mω@ VGS高功率和电流处理能力=-4.5V收购无铅产品表面贴装封装应用 PWM应用负荷开关包裹东风2*2-6L-B
主营产品:电源管理IC(LDO、DC-DC、充电IC、复位/检测IC、驱动IC、音频功放、霍尔开关、马达驱动等)和MOS(低压MOS、中压MOS、大电流MOS)