直线位移传感器 电子行业采用三角法测量原理，利用线阵CMOS器件作为光学接收器件，具有测量精度高、测量时间短等特点，产品光路经过产品设计，成像质量稳定；具有补光技术，适用于工业现场应用。

供电电压

Uv12V DC～24V DC±10%

残余纹波

脉动P-P10%

直线位移传感器 电子行业消耗电流

60mA以下(电源电压12VDC时)

≤40mA以下(电源电压24V DC时)

直线性

±0.1%F.S

±0.2%F.S

外壳材料

铸铝合金(AL)

有机玻璃(PMMA)

连接类型

引线

显示器

4位数码管

2xLED

外壳防护等级

IP67

防护等级

III测量条件如下：电源电压： 24V DC、周围温度：＋20℃、反应时间： 10ms、测量中心距离的模拟输出值。 对象物体：白色陶瓷。 (注2)：根据FDA规则的Laser Notice No.50的规定、并以FDA为基准。 (注3)： 该值为测量中心距离上的值。以中心光强度的1/e2 (约13.5%)定义这些值。 如果定义区域外有光泄漏，并且检测点周围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。

性能

TE05

测量中心距离

50mm

测量范围

±1mm

光束直径

约φ50μm

重复精度

2μm

受光元件

CMOS图像传感器

光源

红色半导体激光2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2)

控制输出

〈NPN输出型〉

NPN开路集电极晶体管

流入电流：50mA

外加电压：30VDC以下(控制输出和0V之间)

剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)

漏电流：0.1mA以下

〈PNP输出型〉

PNP开路集电极晶体管

源电流：50mA

外加电压：30V DC以下(控制输出和＋V之间)

剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)

漏电流：0.1mA以下

模拟输出

模拟输出·输出范围：0V～5V(正常时)；5.2V(报警时) 输出阻抗：100Ω

输出范围： 4mA～20mA(正常时)； 0mA(报警时)

动作输出

负载阻抗：300Ω ；入光时ON／非入光时ON可切换

短路保护

自动复位式