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Agilent 8900 串联四极杆 ICP-MS (ICP-MS/MS) 是行业中成功且应用广泛的串联电感耦合等离子体质谱仪。Agilent 8900 ICP-MS/MS 提供了一系列配置，适合从常规商业分析到高级研究和高纯度材料分析的应用，其重新定义了 ICP-MS 性能，可提供可靠的分析结果。
8900 系统具有与安捷伦市场的单四极杆 ICP-MS 系统相同的基质耐受性和稳定性，并与超高效的氦 (He) 碰撞模式相结合。但 8900 系统增加了串联质谱操作 (ICP-MS/MS)，可对碰撞反应池 (CRC) 中的反应化学过程进行精确的控制，使其成为强大、灵活的多元素分析仪。利用 8900 ICP-MS/MS 控制干扰，让您的结果可靠无疑。
特性
精准无忧，扫清一切检测干扰
第二代 Agilent 8900 ICP-MS/MS 助您更轻松地 实现可靠的干扰去除。
2012 年，安捷伦推出了 Agilent 8800，该系统是世界上具有 MS/MS 功能的串联四极杆 ICP-MS (ICP-MS/MS)。 这款开创性仪器为世界各地的成百上千个实验室开辟了新 的分析前景。
第二代 Agilent 8900 ICP-MS/MS 适用于从常规的商业检测 到研究和材料分析的各种情形。8900 ICP-MS/MS 具有的安捷伦四极杆 ICP-MS 系统的氦气模式性能和分析效 率。此外，该系统具有 MS/MS 模式，能够在反应模式下 实现一致且受控的干扰去除。此功能使其成为强大且灵活 的多元素分析仪
MS/MS 在反应气方法中的优势
成熟的 ICP-MS/MS 技术
安捷伦的串联四极杆 ICP-MS 采用 MS/MS 技术，使成百上千实验室具备了的 分析能力。
ICP-MS/MS 让您信心十足
Agilent 8900 ICP-MS/MS 为现有多元素 ICP-MS 应用提供了出色的性能。8900 还引入了以前 ICP-MS 无法实现的分析功能。先前难以分析的低浓度元素的测定、同质异位素直接重叠的分离以及新兴 纳米材料的快速痕量分析将 ICP-MS 的应用扩展到全新的分析领域。
Si 和 S 的超痕量分析
Si 和 S 会受到多原子干扰的严重影响，之前使用单四极杆 ICP-MS 可能无法对 ng/L (ppt) 级 Si 和 S 进行测量。 ICP-MS/MS 使用 MS/MS 和反应池气体提供了可靠的干扰 消除方法。8900 ICP-MS/MS 高级应用配置和半导体配置 采用的新型气体流量系统可大大减小 Si 和 S 污染，从而实 现了对硅和硫出色的背景控制。
下列校准曲线表明使用 8900 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下 以 O2 作为池气体获得的小于 10 ng/L 的 Si（上图）和 S（下 图）检测限 (DLs)。
分离同质异位素重叠
ICP-MS/MS 在 1 amu 的标称分辨率下运行时如何提供优 于高分辨率 (HR) 扇形磁场 ICP-MS 的分辨能力？答案是利 用 MS/MS 模式实现化学反应过程的选择性。通过选择与一 种元素反应而不与另一种元素反应的池气体，ICP-MS/MS 可使用 MS/MS 模式直接分离重叠的同质异位素。同质 异位素是质量数相同的不同元素的同位素，例如 204Hg 和 204Pb。分离此类同质异位素所需要的质量分辨率 (M/DM) 远超出商品化 HR-ICP-MS 的性能。
在地球化学、地质年代学和核科学领域中有很多应用方法 由于同质异位素的重叠会导致难以实现准确分析。例如地 质年代学中 176Hf/177Hf 比的准确测定、使用 Pb/Pb 和 Pb/U 的地质定龄以及 Rb-Sr 比分析。在核科学中，93Zr、151Sm 和 129I 等放射性同位素经常与其他元素的天然同位素发 生重叠。使用 ICP-MS/MS 和反应池气体可以分离同质异 位素。
以下谱图显示了使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 测得的以 Hf(NH2)(NH3)4 + 产物离子形式存在的 Hf。MS/MS 能够在 Lu、Yb 及可能在 m/z 176 处发生重叠的其他基质元素存在 时准确测量 176/177Hf 同位素比。
使用 MS/MS 模式准确分析硫和硫同位素比
使用 O2 作为反应气，可将 S 作为其产物离子 SO+ 在 m/z 48 （针对 32S 主同位素）、49 和 50 处进行测量。测量多种同 位素时，可使用同位素稀释法 (ID) 进行 S 同位素比分析和 准确的定量分析。具备 MS/MS 功能的 8900 ICP-MS/MS 对此应用非常重要，因为不用 MS/MS 进行测量时，碳、 钙和钛会对产物离子 SO+ 产生干扰，如下图所示。
使用单颗粒/细胞 ICP-MS (sp/scICP-MS) 表征纳米
颗粒 (NP) 8900 ICP-MS/MS 可提供的灵敏度和最短驻留时间为 0.1 ms 的快速时间分辨分析 (TRA)。高灵敏度、高速与高 效干扰去除相结合，将现有纳米颗粒分析范围扩展至包括 含有 Si、S、Fe 和 Ti 等元素的颗粒。这些纳米颗粒用单四 极杆 ICP-MS 难以测量。
MS/MS 功能助您扫清一切干扰
超高基质进样系统 (UHMI)
UHMI 将基质耐受性提高到 25% 的总溶解 态固体 (TDS)。UHMI 是 8900 标准和高级 应用配置的标配，确保可常规测量高基质 样品并消除基质抑制效应。
样品引入
低流量帕尔贴半导体制冷进样系统提供了 高稳定性和一致性。可选的集成样品引入 系统 (ISIS 3) 增配了活塞泵和紧密连接的 7 通 阀，可实现高速离散进样。
气体控制
用于等离子体气体的四通道氩气质量流量控制。高级应用配置和 半导体配置包括第 5 路（可选）气体控制器和低 Si/S 氩气流路。
27 MHz 等离子体 RF 发生器
高速频率匹配 RF 发生器提供超高的功率传输效率，可耐受包括 挥发性有机溶剂在内不断变化的样品基质。
等离子体与屏蔽炬系统 (STS)
提供的高能量可实现有效的基质解离，精密离子能量控制还可在 氦气模式下实现有效的干扰去除。常规维护后还可自动校准炬管。
接口锥
Ni 或 Pt 锥提供了出色的基质耐受性和高灵敏度。螺纹设计便于 在常规维护过程中拆卸。
离子透镜
双提取透镜和离轴 Omega 透镜在单个优化的接口中 提供了高离子传输效率和基质耐受性。离子透镜位 于高真空区域以外，易于进行常规维护。
个四极杆质量过滤器 (Q1)
高频双曲面四极杆质量过滤器。在 MS/MS 中，Q1 在 0.7 u 分辨率 下运行，将剔除目标分析物质量数以外的所有离子，从而控制反 应池中的化学反应过程。
第四代八极杆反应池系统 (ORS4 )
带有 4 通道气体流量控制器的温控型碰 撞/反应池可灵活应用于池气体方法中。 既可在氦气 (He) 模式下运行，也可利用 MS/MS 功能在反应模式下实现有效而一 致的干扰控制。轴向加速（高级应用配置 和半导体配置）提高了灵敏度，并可控制 高阶产物离子的形成。
电子倍增检测器
双模式离散打拿级电子倍增器可提供高达 11 个数量级的动态范 围。超短的 (0.1 ms) 最小驻留时间支持瞬时信号的快速分析（ Cap-LC、GC、单纳米颗粒和激光剥蚀）。
第二个四极杆质量过滤器 (Q2)
第二个高频双曲面四极杆质量过滤器通常也在 0.7 u 的分辨率下 运行。Q2 选择出现在池出口处的离子，只让目标分析离子/产物 离子通过至检测器。
真空系统
高性能 4 级泵系统，包括一个叉分式涡轮泵、另一个涡轮泵和一个 外置机械泵。增强的真空性能使 8900 ICP-MS/MS 具有超高的灵敏 度以及低背景，同时确保 Q1 实现 MS/MS 所需的 < 1 u 分辨率。
